半导体物理第四章01.pptVIP

第三章例题 式 (3-90) 只适用于ND-NA ni,的情况。如果ND-NA与ni 数值相近，或者说温度升高使两种杂质浓度之差与该温度时的 ni相近时，则本征激发不可忽略。这时电中性条件为导带电子和电离受主的负电荷应等于价带空穴与电离施主的正电荷，即 将上式与 联立求解，可以得到热平衡时n型半导体的电子浓度为 （5）高温本征激发区 继续升高温度，使得本征激发产生的载流子数目多于杂质电离产生的载流子数目，即n0ND，p0ND。此时电中性条件为n0=p0。这种情况与未掺杂的本征半导体一样，因此称为杂质半导体进入本征激发区。此时，费米能级等于本征费米能级（可以由n0~ni或p0~ni），接近禁带中线。而载流子浓度随温度的升高而迅速增加。 前几章介绍了半导体的一些基本概念和载流子的统计分布，还没有涉及到载流子的运动规律。本章主要讨论载流子在外加电场作用下的漂移运动，讨论半导体的迁移率、电导率、电阻率随温度和杂质浓度的变化规律。 为了了解迁移率的本质，着重讨论一个重要概念——载流子的散射概念。由于严格的理论分析过于繁琐，本章主要限于定性地讨论载流子散射的物理本质，给出必要的结论。此外，对弱电场情况下电导率和统计理论和强电场情况下的效应也进行一定的讨论。 以金属导体为例，在导体两端加以电压 V，导体内就形成电