后摩尔定律时代：SoC_and_SiP.ppt

2013-10-15 后摩尔定律时代：SoC and SiP 目 录 一、Moore’s Law More * Moore’s Law： 当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。 但是，芯片上元件的几何尺寸能无限制地缩小下去吗？ 制约因素： * 后摩尔定律： 后摩尔定律除了会延续摩尔定律对集成度、性能的追求外，还会利用更多的技术，例如模拟/射频、高压功率电源、MEMS传感器、生物芯片技术及系统级封装(SiP)等三维(3D)集成技术，以提供具有更高附加价值的系统。 ITRS组织针对半导体产业近期(2007-2015年)和远(2016-2022年)的挑战，在技术路线制定上，提出选择两种发展式： 一、继续沿着摩尔定律按比例缩小的方向前进，专注于硅基CMOS技术; 二、按“后摩尔定律”的多重技术创新应用向前发展，即在产品多功能 化(功耗、带宽等)需求下，将硅基CMOS和非硅基等技术相结合，以提供完整的解决方案来应对和满足层出不穷的新市场发展。 图1：SoC与SiP的关系 * 二、SoC：System on Chip 芯片级系统片上系统 SOC是基于单芯片上完整系统，是的指在单一芯片上实现信号采集、转换、存储、处理 和I/ O 接口等功能。 即在单一芯片上集成数字和模拟混合电路、 信号采集和转换、 I/ O 接口、存储器、MCU（Microcontroller微控制器）和 DSP（digital signal processor 数字信号处理器）等IC。 系统芯片控制逻辑 微处理器/微控制器 数字信号处理器DSP 嵌入存储器 接口模块 模拟前端（ADC/DAC） 电源提供和功耗管理 射频前端 …… SoC的基本组成： 图2.1 SoC设计流程示意图 图2.2 SoC系统级研究内容 功能增加：从单一功能增加到多种功能，在单芯片上可实现天线切换、锁相回 路、本地振荡、解调变处理、调变处理和帧处理等功能。 性能提高：SOC 是从整个系统的角度进行设计的，可实现更高性能的 系统指标。 体积减少：降低所占的印制电路板（PCB）空间，减少了整机的体积。 成本降低：由于用 SOC 可减少外围电路芯片，因而降低了整机的成本。 虽然 SOC 设计概念给电子系统设计带来了高性能、低成本等优势，但高度集成也增加了功耗、布线和复杂化等设计难度。另外，技术上把数字、模拟、RF、微波信号、MEMS等集成在同一芯片上的工艺存在兼容问题。 SOC 与单功能芯片相比有如下优点： 系统封装 ( SiP) 三、SiP： System In Package系统级封装 在 ITRS 2005 中对 SiP 的定义是:“系统级封装是采用任何组合, 将多个具有不同功能的有源电子器件与可选择性的无源元件以及诸如 MEMS 或者光学器件等其他器件首先组装成为可以提供多种功能的单个标准封装件, 形成一个系统或者子系统”。 SiP模多采用塑料阵列封（PBGA）和芯片阵列（Chip Array）封装形式，它可以用倒装片、金属线焊、 层叠式管芯、 陶瓷衬底、 球栅阵列 （BGA） 封装或凸缘栅格阵列 （Land Grid Array LGA）等封装技术来集成各种芯片（如数字电路、DRAM、微机电系统）和分立器件。 图3.1 SiP的封装形式分类 SiP 的特征 一、以衬底硅片作为封装基板； 而用硅片作为基板，特别是以倒扣和穿透的互 连， 可以减小芯片与基板之间热应力影响 二、更多地采用硅加工技术，例如光刻等； 三、不仅是实现分立元器件的互连, 而且是将一些元器件直接做在硅片上。 图 3.2 典型 SiP 多功能集成示意图 SIP 具有如下优点： 同一封装内封装了多种 IC 裸片，免去冗余封装； 同一封装内 IC 间距变小，减小了互连； 封装内的元器件互相堆叠，提高了封装密度，节省了封装基板面积。 复杂系统的芯片封装、 系统协同设计（Co-de-sign）， 热管理等 工艺技术的创新 测试工具与方法 所面临的挑战： 四、SoC VS SiP片上系统 图 4.1 SoC与SiP分别置于天平两端 成本方面： 图4.2 蜂窝式手持电话SOC与SiP结构示意图 表1 蜂窝式电话电路采用SOC与SiP设计成本分析表 知识产权方面： 由