工业催化--第5章+金属氧化物和金属硫化物催化剂及其催....ppt

例子 对于2N2O＝2N2十O2反应在金属氧化物催化剂上进行时，实验发现： P型半导体氧化物(Cu2O，CoO，NiO，CuO，CdO，Cr2O3，Fe2O3等)活性最高 其次是绝缘体(MgO，CaO，Al2O3) N型半导体氧化物(ZnO)最差； 实验研究还发现，在P型半导体上进行分解反应时，催化剂的电导率增加，而在N型半导体上进行时电导下降。 2N2O＝2N2十O2的反应机理 据此可以推测：N2O在半导体表面上吸附时是受主分子。 若N2O分解分两步进行 2N2O＝2N2十O2 在P型半导体上反应活性较高的解释 反应机理中的第一步是不可逆快反应，第二步是慢反应，是决定反应速度步骤。 催化剂的电导率应该由第一步所引起，总的结果为N型电导下降，P型电导上升。这与实验结果一致。 反应速率由第二步控制，所以要加快反应速率，必须提高催化剂接受电子的速率。由于P型半导体的空穴能位比N型半导体的导带能位更低，所以接受电子的速率快得多，这就解释了P型半导体的活性较高的原因。 掺杂对2N2O＝2N2十O2反应的影响 适当加入一些杂质使费米能级下降，即加入一些受主杂质会有助于加速反应。 但是反应的决定反应速度步骤随条件而变化，当受主杂质加得太多到一定程度已严重影响到第一步要求电子的速率，这样反过来第一步会成为决定反应速度步骤。 事实上对P型半导体NiO加一些Li2O证实了上述的推论，适当加入一些L