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4.2 电阻应变式传感器 电阻应变式传感器由电阻应变片和测量电路组成。其敏感元件的电阻随着机械变形(伸长或缩短)的大小而变化。它广泛应用于测量力和与力有关的一些非电参数(如压力、荷重、扭力、加速度等)。 电阻应变传感器的特点是精度高,测量范围广;结构简单,性能稳定可靠,寿命长;频率特性好,能在高温、高压、振动强烈、强磁场等恶劣环境条件下工作。 4.2.1 应变片的工作原理 图4-10 电阻应变片的基本形状 图4-10示出了电阻应变片的基本形状。图中, 称为应变片的标距或称为工作基长;b称为应变片的工作宽度。 金属导体的电阻随着它所受机械变形(伸长或缩短)的大小而发生变化的现象,称为金属电阻的应变效应。这就是电阻应变片赖以工作的物理基础。 金属导体的应变效应 金属导体在外力作用下发生机械变形时,其电阻值随着它所受机械变形 ( 伸长或缩短 ) 的变化而发生变化的现象。 根据电阻的定义式: ; 如果金属导体在外力作用下产生变化量?ρ、?l、?A时,其相对变化率为: 对于直径为D的圆柱形截面电阻丝,因为A=лd2/4;故: 由材料力学知,横向收缩 和纵向伸长 的关系为: 由上页的公式得出: 下面分导体和半导体两种情况对上式进行讨论: 金属电阻应变片(按结构形式分) 丝式 箔式 薄膜式 半导体应变片 体型半导体应变片 薄膜型半导体应变片 扩散型半导体应变片 金属电阻应变片 式中第二项 是由于受力后材料的电阻率发生变化而引起的,对多数金属材料其值是个常数,往往甚小,可以忽略。式中第一项是由电阻丝几何尺寸变化引起的,对某种材料来说,其值是常数。因此,上式可写成为: 式中, 称为应变灵敏度系数。由于大多数金属材料的 之间,所以 在1.6~2.0之间。 金属电阻应变片具有分辨率高,非线性误差小;温漂系数小;测量范围大,可从弹性变形一直测至塑性变形(1%~2%),可超载达20%;既能测量静态应变,又能测量动态应变;价格低廉,品种繁多,便于选择和大量使用等优点,因此在各行各业都广泛应用。 金属电阻应变片常用的三种。 丝式:常用高电阻率的金属电阻丝制成,允许最大工作电流较小。 箔式:通过光刻、腐蚀等工序制成的一种很薄的金属箔栅,允许最大工作电流较大,灵敏度高。 薄膜式:是采用真空蒸镀技术在薄的绝缘基片上蒸镀上金属电阻材料薄膜,允许最大工作电流较大,灵敏度较高。 应变片电阻值通常有60、120、200、350、500、1000Ω几种,其中以120Ω为最常用。 允许最大工作电流是指通过应变片而不影响其工作的最大电流值。工作电流大,应变片输出信号就大,灵敏度高。允许最大工作电流与应变片的允许最大功耗有关,即: 通常允许最大工作电流 ,在静态测量时约取25mA左右,动态测量时可更高一些。 金属电阻应变片 半导体应变片 对一块半导体材料的某一轴向施加一定的载荷而产生应力时,它的电阻率会发生变化,这种物理现象称为半导体的压阻效应。 半导体应变片是根据压阻效应原理工作的。 当沿某一晶轴方向切下一小条半导体应变片,若只沿其纵向受到应力,其电阻率的变化量可由下式表示: 式中, 为半导体纵向压阻系数; 为半导体材料的弹性模量; 为沿半导体小条纵向的应变。 将式(4-20)代入式(4-17),得半导体应变片的电阻相对变化量 上式中第一项是由几何形状变化而引起的电阻相对变化量,其值很小,约为1~2;第二项是由压阻效应引起的,其值约为第一项的50~70倍,故第一项可忽略。因此上式可写成 式中, 称为半导体应变片的灵敏度系数。 半导体应变片 突出的优点是灵敏度系数高,可测微小应变(一般600微应变以下);机械滞后小;动态特性好;横向效应小;体积小。 其主要缺点是:电阻温度系数大;一般可达10-3/℃;灵敏度系数随温度变化大;非线性严重;测量范围小。因此,在使用时需采用温度补偿和非线性补偿措施。 4.2.2 电阻应变传感器的测量电路 由于电阻应变片工作时其电阻变化很微小,例如,一片 、初始电阻120Ω的应变片,受1333微应变(约2吨重的力)时,其电阻变化仅0.36Ω。 测量电路的任务是把微弱的电阻变化转换成电压或电流的变化,因此常用直流电桥和交流电桥作为测量电路。 目前应变片电桥大都采用交流电桥,但由于直流电桥比较简单,交流电桥原理与它相似,所以以直流电桥作分析,如图4-11所示。 图4-11 桥式测量电路 电桥测量电路的分析 电桥测量电路见图4-11,图中 分别为四桥臂电阻, 为供桥电压, 为
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