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- 2016-08-01 发布于湖北
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广工 半导体物理与器件总复习1
半导体物理与器件复习1 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 金 刚 石 晶 体 结 构和共价键 Si:a=5.43A; Ge:a=5.66A ; ?-SiC:a=4.35A, 金刚石 a=3.567A 每一个Si(或Ge)原子有四个近邻原子,构成四个共价键。 Ⅲ-Ⅴ族和大部分Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体属于闪锌矿结构 第一章 一、基本概念 1. 能带,允带,禁带,K空间的能带图 能带: 在晶体中可以容纳电子的一系列能级 允带:分裂的每一个能带都称为允带。 禁带:晶体中不可以容纳电子的一系列能级 K空间的能带图:晶体中的电子能量随电子波矢k的变化曲线,即E(K)关系。 2、半导体的导带,价带和禁带宽度 3.电子的有效质量 (1) 晶体中的电子在外加电场作用下,电子除受外电场的作用力,还受到内部原子核和其它电子的作用力,但内部势场的作用力难以精确确定。电子的有效质量将晶体导带中电子的加速度与外加作用力联系起来,电子有效质量概括了晶体中内部势场对电子的作用力。这样仍能用经典力学的方法来描述晶体中电子运动规律。即: : 4.空穴:空穴是几乎被电子填满的能带中未被电子占据的少数空的量子态,这少量的空穴总是处于能带顶附近。是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位,对应于价带顶的电子空位。把半导体中的空穴看成一个带有电荷为+q,并以该空状态相应的电子速度v(k)运动的粒子,它
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