第五章：光刻分析.ppt

NSR2005 i9c 型NIKON光刻机光刻特征尺寸SEM照片2 步进扫描式光刻机 步进扫描式光刻机工作原理 步进扫描式光刻机的特点 1. 版上图形与片上图形4：1（即缩小倍率4：1） 掩膜版制造更容易和精确 2. 机器自动对准 3. 光刻精度高，特征尺寸：亚微米/深亚微米 4. 用较小的透镜尺寸获得较大的曝光场从而获得较大的芯片尺寸 5. 扫描过程调节聚焦，透镜缺陷、硅片平整度变化自动补偿 6. 原来由镜头成像质量保证的Y方向的线宽和套刻精度现在由机械扫描精度来实现 7. 造成像差小，图像畸变小 8. 制造成本低 步进扫描式光刻机的特点 环境条件对光刻的影响 1. 温度：掩膜版架、光学系统、承片台等 2. 湿度：胶粘附性、数值孔径、聚焦等 3. 振动：定位、对准、聚焦、曝光等 4. 大气压力：空气折射率、激光干涉计 5. 颗粒污染：图形缺陷 本章作业 1. 什么是光刻？（即回答光刻的概念） 2. 请写出光刻的8个基本步骤 3. 已知某台分步重复光刻机的紫外光源波长为248nm、光学系统的数值孔径为0.7、工艺因子为0.7，试计算该设备光刻的分辨率和焦深。 数值孔径（NA） 透镜能够把一些衍射光会聚到一点成像，把透镜收集衍射光的能力称为透镜的数值孔径。（ 通常UV光通过掩膜版上的特征尺寸小孔会发生衍射现象） NA＝（n）Sinθm≈（n）×透镜半径/透镜焦长 n为图像介质的折射率，θm为主光轴与透镜边缘光线的最大夹角。透镜半径越大数值孔径越大成像效果越好。但受到镜头成本的限制。分步重复光刻机和步进扫描光刻机的NA都能做到0.60～0.68的水平 数值孔径 分辨率（R） 分辨率是将硅片上两个相邻的特征尺寸（或关键尺寸）光刻胶图形区分开的能力。分辨率是光刻中一个重要的性能指标。 k为工艺因子，范围是0.6～0.8， λ为光源的波长NA为曝光系统的数值孔径 要提高曝光系统的分辨率即减小特征尺寸，就要降低紫外光的波长λ 图中分辨率为0.25μm 焦深（DOF） 焦深是焦点上下的一个范围，在这个范围内图像连续保持清晰。焦深类似照相的景深，集成电路光刻中的景深很小，一般在1.0μm左右。 焦深 从焦深公式中看出提高分辨率降低了焦深，两个参数互相制约。 分辨率和焦深是现代分步重复光刻机或步进扫描光刻机非常重要的参数 数值孔径和焦深的关系 套准精度 套准精度是掩膜版上的图形与硅片上的图形的对准程度。 根据光刻的要求，版上的图形与片上图形要精确对准。套准精度也是光刻中一个重要的性能指标。套准精度一般是特征尺寸的1/5 ~ 1/4 套准精度 光刻工艺中的套刻环节 最大曝光场 驻波效应 入射光和反射光发生干涉并引起光刻胶在厚度方向上的不均匀曝光，这种现象称为驻波效应。驻波效应降低了光刻胶成像的分辨率。深紫外光刻胶由于反射严重驻波效应严重。 光刻胶中的驻波效应 驻波效应降低了光刻胶成像的分辨率，影响线宽的控制。 光刻胶中的驻波效应 驻波与抗反射涂层 当光刻胶下面的底层是反光的衬底（如金属和多晶），光线将从衬底反射并可能损害临近未曝光的光刻胶，这种反射现象会造成反射切入。在反光衬底上增加一层抗反射涂层（如TiN）可消除反射切入和驻波现象。 驻波与抗反射涂层 来自曝光区的光被圆片高低形貌反射，被不曝光区域的光刻胶吸收 高低形貌反射造成底部切入 5.4 光刻设备 光刻机分类 光刻机类型按照曝光进行方式分为： 接触式(Contact)，接近式(Proximity)，扫描式(Scan)，步进式(Stepping)，步进-扫描式(Step and Scan) 按照工作波长分为： g-line(435 nm), i-line(365 nm), KrF(248nm), ArF(193nm), 和将来的EUV(13.5nm) 按照工作平台的个数分为： 单平台，双平台(ASML Twinscan)，串列平台(Nikon NSR-S610C) 按照一次曝光的区域(Exposure Field)大小分为：迷你(Mini)，全尺寸(Full Field, 26mm x 33mm) 按照缩小比例(Reduction Ratio)分为：10倍、5倍、4倍和1倍 不同时代的五种光刻机 1. 接触式光刻机－20世纪70年代，特征尺寸≥5μm 2. 接近式光刻机－20世纪70年代，特征尺寸≥2μm 3. 扫描式光刻机－20世纪80年代初，特征尺寸≥1μm 4. 步进式光刻机－20世纪80年代后，亚/深亚微米 5. 步进扫描式光刻机－ 20世纪90年代，亚/深亚微米 接触式光刻机和接近式光刻机 接触式光刻机和接近式光