新型透明导电氧化物薄膜.ppt

迁移率高（20 cm2V-1s-1），可与相应的晶体材料的相比拟 ? 电子输运通道(CBM)由金属S轨道的球面扩散所构成; 通过2CdO-GeO2膜系计算证实了该理论 共价非晶半导体(如a-Si:H): CBM和VBM由sp3杂化轨道构成 In2O3-Ga2O3-(ZnO)m (m = 1-4)非晶薄膜具有102 Scm-1量级的电导率 H. Hosono, J. Non-Cryst. Solids 203 (1996) 334; 198-200 (1996) 165; 352 (2006) 851； S. Narushima et al., Phys. Rev. B 66 (2002) 035203 Zn-Rh-O具有非晶p型电导特征，第一次证实了p型非晶TOS 由非晶Zn-Rh-O 和In-Ga-Zn-O构成的二极管显示了良好的整流特性 新型TOS材料 —非晶TOS薄膜 3. 新型TOS 02年，发现了由CaO和Al2O3构成的TCO：12CaO·7Al2O3(C12A7)，而CaO和Al2O3: 典型的透明绝缘材料 C12A7是一个微孔晶体，它的晶胞包含两个化学式，即[Ca24Al28O64]4+ + 2O2-，自由氧离子可以被O-, H-和电子置换。含H- C12A7呈白色，为绝缘体，经紫外光或电子束照射后转变为持久的电子导体(1-10 Scm-1)。 这一材料的发现有两层意义：突破了TCO薄膜至少包含In2O3, SnO2, ZnO, CdO, Ga2O3作为主要成分的限制；拓展了应用领域，即在绝缘基片上通过合适的掩膜由UV-电子束照射使导电区域直接图形化 新型TOS材料 3. 新型TOS UV-LED: p-SrCu2O2/n-ZnO (Eg = 3.38 eV), 电致发光的中心波长为382 nm, Vth = 3 V, 源于ZnO层中电子-空穴的复合 透明pn二极管：p-ZnRh2O4/n-ZnO, Vth = 2V的整流特性 基于新型TOS的器件 3. 新型TOS 基于新型TOS的器件 — 紫外透明UV检测器 p-NiO/n-ZnO, 室温具有I-V整流特性, Vth = 1 V, 在360 nm (-6V偏压) 紫外光处的室温响应达到0.3 AW-1，可比拟商用GaN 3. 新型TOS 单晶InGaO3(ZnO)5沟道层，迁移率达80 cm2V-1s-1 基于新型TOS的器件 —全透明TFT 3. 新型TOS 柔性TFT: 非晶InGaO3(ZnO)5薄膜，迁移率达到12 cm2V-1s-1， 开关电流比106 - 108，使用传统的溅射镀膜技术制备薄膜 3. 新型TOS Thin Solid Films 515 (2007) 6000-6014 Thank You! 透明导电氧化物薄膜/ 透明氧化物半导体薄膜 内 容 背景介绍 透明导电氧化物(TCO)薄膜和透明氧化物半导体(TOS)薄膜的特点、应用和发展需求 新型高迁移率和近红外高透射率透明导电氧化物薄膜的研究 新型透明氧化物/氧硫化物半导体薄膜及其 器件的研究进展 小结 Conductors Semiconductors Insulators σ=105-106 (Ω-1.cm-1) σ=104 –10-6 (Ω-1.cm-1) σ=﹤10-7 (Ω-1.cm-1) Brief review of conductivity 1.背景介绍 TCO/TOS薄膜的定义 TCO：Transparent Conductive Oxide TOS：Transparent Oxide Semiconductor Definition： An oxide thin film is transparent to visible light (400 - 700 nm) and conducting to electricity For example : Copper or Silver cannot be transparent, SiO, SiO2, Al2O3, TiO2 cannot be conduct ! So how to get a Transparent Conductor?? Mix a Metal Oxide and a Metal !! Form a NON Stoichiometric Metal Oxide film → Modify a transparent material for electrical conduction 1.背景介绍 TCO