晶体管原理(4-1).ppt

第 4 章 绝缘栅场效应晶体管 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是另一类重要的微电子器件。这是一种电压控制型多子导电器件，又称为单极型晶体管。这种器件与双极型晶体管相比，有以下优点 ① 输入阻抗高； ② 温度稳定性好； ③ 噪声小； ④ 大电流特性好； ⑤ 无少子存储效应，开关速度高； ⑥ 各管之间存在天然隔离，适宜于制作 VLSI 。 ⑦ 功耗低 ⑦ 结型栅场效应晶体管（ J FET ） 肖特基势垒栅场效应晶体管（ MESFET ） 绝缘栅场效应晶体管（ IGFET 或 MOSFET ) 场效应晶体管（FET）的分类 JFET 和 MESFET 的工作原理相同。以 JFET 为例，用一个低掺杂的半导体作为导电沟道，在半导体的一侧或两侧制作 PN 结，并加上反向电压。利用 PN 结势垒区宽度随反向电压的变化而变化的特点来控制导电沟道的截面积，从而控制沟道的导电能力。两种 FET 的不同之处仅在于，JFET 是利用 PN 结作为控制栅，而 MESFET 则是利用金- 半结（肖特基势垒结）来作为控制栅。 IGFET 的工作原理略有不同，利用电场能来控制半导体的表面状态，从而控制沟道的导电能力。 根据沟道导电类型的不同，每类