晶体管原理(4-5).pptVIP

4.5 MOSFET 的直流参数与温度特性 4.5.1 MOSFET 的直流参数 1、阈电压 VT 2、饱和漏极电流 IDSS 此参数不是一般的 IDsat ，它只适用于耗尽型 MOSFET ，表示当 VGS = 0 时的 ID ，即： 4、通导电阻 Ron Ron 表示当 MOSFET 工作于线性区，且 VDS 很小时的沟道电阻。当 VDS 很小时，ID 可表示为 3、截止漏极电流 此参数只适用于增强型 MOSFET，表示当 VGS = 0 ，外加VDS PN 结反向电流引起的微小电流。 5、栅极电流 IG 表示从栅极穿过栅氧化 层到沟道之间的电流。栅极电流 IG极小，通常小于 10-14 A 。 1 、阈电压与温度的关系 上式中与温度关系密切的只有 ， 4.5.2 MOSFET 的温度特性 无论 N 沟道还是 P 沟道， 约为每度几个 mV，所以 温度对于阈电压的影响不是很大。 用同样的方法可以得到 P 沟道 MOSFET 的阈电压与温度的关系，并且得到 ，所以