第四章-半导体的导电性.pptVIP

Ch4 半导体的导电性 4.1 载流子的漂移运动和迁移率 4.1.1 欧姆定律： 4.1.3 半导体的电导率和迁移率 半导体的导电机理：电子导电、空穴导电 4.2 载流子的散射 问题:理想半导体，在T= 0 K 时，电子在外场F的作用下，做什么运动？ 匀加速运动 ？？ J= ? |E| 恒定电场作用下，Ｊ应该是恒定的，原因呢？ 主要散射机构： 电离杂质散射 晶格振动的散射 等同的能谷间散射 中性杂质散射 位错散射载流子之间的散射 2 晶格振动的散射 Ｔ定，晶格中原子都各自在其平衡位置附近作微振动。 晶格中原子的振动都是由若干不同的基波—格波按照波的叠加原理组合而成。 三个光学波=两个横波+一个纵波 三个声学波=两个横波+一个纵波 A)声学波散射 Ps ? T 3/2 　　　　　　　（4-29） B）光学波散射 3 其他因素引起的散射 等同的能谷间散射—低温时谷间散射很小 对于能量极值相同的多能谷，电子可以从一个极值附近散射到另外一个极值附近。 中性杂质散射（低温重掺杂半导体） 没有电离的中性杂质对周期性势场有一定的微扰作用引起的散射 位错散射 位错密度很高（104cm-2）的材料需考虑 合金散射：多元化合物半导体混晶，两种同族原子在其晶格中相应的位置上随机排列,都会产生对载流子产生散射作用 载流子之间的散射（强简并半导体） 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.3.1 平均自由时间和散射概率的关系 载流子在电场中作漂移运动时，只有在连续两次散射之间的时间内才作加速运动，这段时间称为自由时间。自由时间长短不一，取多次而求得其平均值则称为载流子的平均自由时间，用τ来表示。 平均自由时间和散射概率是描述散射过程两重要参量 当同时存在i种散射机构时： 总的平均自由时间： 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 设电子沿x方向运动 各种类型材质的电导率如下： 4.3.3 迁移率与杂质和温度的关系 4.6 强电场下的效应、热载流子 4.6.1 欧姆定律的偏离 现象： 1－低场下vd∝E线性关系 2－中等强度电场vd∝E1/2 亚线性关系 3－强场下vd饱和 习题：2、7、11、14、16、18 强电场下欧姆定律发生偏离的原因： 　　载流子与晶格振动散射时的能量交换进行说明 　　 解释： 1o低场下vd （~ 107cm/s），τ决定于 ，与vd无关，与E无关. 2o中场下（E≥103~4V/cm）vd~ τ决定于 和vd，E↑τ↓μ↓ 3o强场下，发射光学声子成为动量驰豫和能量驰豫的主要机制，速度达到饱和 强场下载流子的平均动能明显高于热平衡时的值---热载流子 1o热载流子受电离杂质散射弱，但声子散射（特别是光学声子）可以很强； 2o热载流子可以在等价或不等价能谷间转移 　放出一个声子：当格波能量减少一个h?a 吸收一个声子：增加一个 h?a 电子受晶格振动的散射----电子与声子的散射 （格波） （吸收或释放一个声子） 声子散射遵循能量守恒和动量守恒定律 量子力学微扰理论得出 载流子的主要散射机制 主要的散射中心 晶格不完整 晶格热振动 载流子散射 杂质 缺陷 声学波散射 光学波散射 电离杂质 中性杂质 数值等于散射概率的倒数 设有N0个电子以速度v沿某方向运动 N(t) --在t时刻所有未受到散射的电子数 P--散射几率，单位时间内受到散射的次数 则在t→t+dt时间被散射的电子数 t→t+dt受到散射的电子数 平均自由时间： 注意： 相同电场作用下，电子的速度快 电离杂质散射： Pi ? NiT-3/2 声学波散射： Ps ? T3/2 光学波散射： 所以： 电离杂质散射： μi ? Ni-1T 3/2 声学波散射： μ s ? T- 3/2 光学波散射： 定性分析迁移率随杂质浓度和温度的变化。 掺杂的锗、硅等（原子晶体），主要散射机构是声学波散射和电离杂质散射。μs和μi可写为 μs =?q/（m*AT 3/2 ） μi=qT 3/2/（ m*BNi ） ?1/ μ=1/μs+1/μi 所以 ? 举例： ? 对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，如砷化镓，光学波散射也很重要，迁移率为 ??1/ μ=1/μs+1/μi +1/μ0 （4-61） （1）硅中电子和空穴迁移率与杂质和温度的关系 在高纯样品（如Ni=