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模拟电路基础 半导体 习题 1半导体中参与导电的载流子有哪些？它们是如何形成的？半导体特点？ 解：自由电子和空穴。 容易脱离的原子核的束缚形成自由电子 共阶键在原来相应位置留下一个空穴形成空穴。 2常温下，硅二极管和堵二极管的开启电压Uth的约为多少？导通后较大电流下的正向压降约为多少？ 解：硅0.5~07V 锗0.1~0.3V 导通后压降硅取最小值0.5V、锗压降0.1V， 硅正向电阻5KR、锗正向电阻1KR 3把一节1.5V电池直接接到二极管的两端，会发生什么情况？ 解：电流会很大、二极管发热量大、会烧坏二极管。 4晶体管从结构上看是一种对称结构，那么它的集电极和发射极是否可以互换使用？ 解：不能、因为发射极和集电极的载流子浓度不一样、发射极浓度大于集电极。 5要保证晶体管是有电流放电作用、在工艺上应满足那些条件？为什么？ 解：发射极处于正向偏置 集电极与发射极之间不饱和 电压电流主要由输出功率和负载阻抗决定。 6晶体管三个电极的电流满足什么关系？ 解：基极电流0.1MA、中间发射极4MA、集电极4.1MA公式4.1=0.1+4 7场效应晶体管是什么类型电子器件？有何特点？ 解：属于电压控制电流源器件。 特点;输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、高灵敏、属于前置放大电路。 8场效应管晶体管和双极型晶体管的异常? 解：场效应晶体管是电压控制电流源、由栅源电压UGS来控制漏极电流ID 双极型晶体管是电流控制器件、通过基极电流控制输出电流的目的。 9场效应晶体管和晶体管能代用吗？ 解：不能、因为场效应管是电压控制源，晶体管是电流控制源。 10二极管电路如图1-60所示，二极管均为理想二极管，判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端的电压Uao. （a） (b) 图1-60习题10电路 11已知电路如图1-61所示，二极管VD分别使用理想模型、恒压降模型(Ud=0.7V)折线模型（Uth=0.5V,rd=200R）计算A点电位Ua 1-61图 12 计算图1-62电路中流过二极管的电流Id,设 二极管导通时的正向压降Ud+0.7V. 13电路如图1-63所示，试分析当前输入电压Ui为3V时，哪些二极管导通？当输入电压Ui为0V时，哪些二极管导通？（写出分析过程，并设二极管的正向压降0.7V） 14试判断图1-64中二极管(VD为理想二极管)是导通还是截止？为什么？ 15电路如图1-65所示。设输入信号ui=5sinwtV,二极管为理想模型，试画图输出电压U0的波形。 16电路如图1-66所示，已知输入电压ui的波形，二极管采用理想模型，试画图输出电压U0的波形 17电路如图1-67所示，已知输入信号ui=5sinwtV,二极管导通电压UD=0.7V。试画图输出电压U0的波形，并标出幅值。 18 电路如图1-68所示，VD为硅二极管，，导通时正向压降为0.7V，C为耦合电容， 流信号的容抗可忽略不计。若输入交流信号ui的有效值ui为5mV ,求 19电路如图1-69所示，设ui=12sinwtV，稳压管VS的稳压电压为8V,限流电阻为R，试画出uo的波形。 20有两个稳压管VS1和VS2，其稳压电压分别为5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V，能否得到0.5V、3V、6V、9V和14V几种稳定电压，说明理由。 21测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA, 3.66mA, 和3.6mA, 则该管的B约为多少？ 22测得电路中几个晶体管的各极对地电压如图1-72所示，判断它们各工作在那个状态（放大、饱和、截止）？ 23写出图1.73中各场效应晶体管正确名称。