武汉理工大学《材料科学基础》2008-2012年期末试卷及详细答案.doc

武汉理工大学2008年《材料科学基础》期末考试试卷 一. 图1是Na2O的 理想晶胞结构示意图，试回答：　　 1．晶胞分子数是多少；　　 2．结构中何种离子做何种密堆积；何种离子填充何种空隙，所占比例是多少；　　 3．结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；　　 4．计算说明O2-的电价是否饱和；　　 5．画出Na2O结构在（001）面上的投影图。 　二. 图2是高岭石(Al2O3·2SiO2·2H2O)结构示意图，试回答：　　 1．请以结构式写法写出高岭石的化学式；　　 2．高岭石属于哪种硅酸盐结构类型；　　 3．分析层的构成和层的堆积方向；　　 4．分析结构中的作用力；　　 5．根据其结构特点推测高岭石具有什么性质。 ? 　　 三. 简答题：　　 1.晶体中的结构缺陷按几何尺寸可分为哪几类？　　 2.什么是负扩散？　　 3．烧结初期的特征是什么？　　 4.硅酸盐晶体的分类原则是什么？　　 5.烧结推动力是什么？它可凭哪些方式推动物质的迁移？　　 6.相变的含义是什么？从热力学角度来划分，相变可以分为哪几类？　 　四. 出下列缺陷反应式：　　 1.NaCl形成肖特基缺陷；　　 2.AgI形成弗仑克尔缺陷（Ag+进入间隙）；　　 3.TiO2掺入到Nb2O3中，请写出二个合理的方程，并判断可能成立的方程是哪一种？再写出每个