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电光调制器原理 电光调制器的基本原理 电光调制器的基础是电光效应。 电光效应是指在电场的作用下，晶体的介电常数，即其折射率发生改变的效应。 电光调制器的基本原理分类 根据电光晶体的折射率变化量和外加电场强度的关系, 电光效应可分为线性电光效应（泡克耳斯效应）和二次电光效应（克尔效应）。因为线性电光效应比二次电光效应的作用效果明显，因此实际中多用线性电光调制器对光波进行调制[1]。 [1]陈海波, 佘卫龙. 电光调制器的温度特性及其最优化设计[J]. 光学学报, 2004, 24(10): 1353-1357. 电光调制器的原理 电光调制器的基本原理是在电光晶体上施加交变调制信号，由于晶体的电光效应，晶体的折射率会随调制电压即信号而交替变化，此时，通过电光晶体不带信号的光波则带有了调制信号。 如果调制信号为控制强度的，则为电光强度调制器，若控制位相的，则为电光位相调制器[2]。 [2]谷京华, 吴伯瑜. Ti: LiNbO3 电光调制器中复杂截面形状行波电极系统微波损耗系数的计算?…[J]. 电子学报, 1998, 26(6): 58-61. 电光调制器的原理 电压是作用在侧板上的。 光线向z方向上传播，进一步分解成x’和y’两个分量。从而产生相位差或者相位延迟[3]。 电光调制器的原理 λ 是入射光的波长；n 是折射率；r 是晶体的电光系数；V 是外加电压。 从该式可以得出?Φ和V存在线性关系[3]。 电光调制器的原理 在这种情况下调制器往往利用偏振旋转的原理。 在晶体的后面放置检偏振器和通过光的振幅传递相位变化。 因此应用电压的变化可以改变相移,从而改变晶体的光功率传输。 这种调制方法是把光分成两个独立的路径，解调时再将干涉光信号重组[3]。 [3] Tian Y, Lewin P L, Pommerenke D, et al. Partial discharge on-line monitoring for HV cable systems using electro-optic modulators[J]. Dielectrics and Electrical Insulation, IEEE Transactions on, 2004, 11(5): 861-869. 电光晶体的种类 通常电光调制器中使用的电光晶体有KDP晶体、铌酸锂晶体、LGS晶体。铌酸锂（LiNbO3）晶体是目前用途最广泛的新型无机材料之一[4]。 [4]薛挺, 于建, 杨天新, 等. 准位相匹配铌酸锂波导倍频特性分析与优化设计[J]. 物理学报, 2002, 3: 020. 电光晶体的种类 KDP晶体 铌酸锂晶体 LGS晶体