3D存储芯片是SSD容量突破的关键.docVIP

3D存储芯片是SSD容量突破的关键 2015年5月14日，某半导体公司举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，某公司的技术人员在会议上具体揭示了某公司 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。 　　现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，这场会议在酒店举行，参与会议的有相当多的业内朋友。 　　 　　3D NAND的好处自然就是能够比现在的闪存提供功能大的存储空间，存储密度可以达到现有闪存的三倍以上，未来甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出来。 　　另外还有一个重要特性，就是（每单位容量）成本将会比现有技术更低，而且因为无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元以增加容量密度，可靠性和性能会更好。 　　 　　在现在2D NAND时代是没有做TLC闪存的，但是在即将到来的3D NAND时代，将推出自己的TLC闪存。 　　另外还有一个非常重要的就是，TLC与MLC其实都是同一块芯片，这点和现在的3D NAND差不多。客户可以根据自己的需求选择闪存是工作在MLC模式还是TLC模式。在MLC模式下每Die容量是256Gb，而TLC模式下每Die容量是384Gb。 　　 　　 3D NAND目前会使用32层堆叠，电荷存储量和当年的50nm节点产品相当，第二第三代产品依然会保持这样的电荷量，以保证产品的可靠性。 　　会议上并没有明确