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第06章 化学气相淀积 引言 CVD模型 化学气相淀积系统 CVD多晶硅的特性和淀积方法 CVD二氧化硅的特性和淀积方法 CVD氮化硅的特性及淀积方法 金属的化学气相淀积 引言 定义 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition——CVD)是将含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽，以合理的流速引入反应室，通过在气相或衬底表面发生化学反应，形成预期薄膜淀积的化学反应过程。 CVD的基本要求 产生化学变化。 膜中所有的材料物质都源于外部的源。 化学气相淀积工艺中的反应物必须以气相形式参加反应。 引言 CVD工艺优点 设备简单，重复性好。 淀积速率一般高于PVD，效率高。 薄膜的成分精确可控、配比范围大。 淀积膜结构完整、致密，良好的台阶覆盖能力，且与衬底粘附性好。 厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜淀积，且能大量生产。 CVD成膜温度远低于体材料的熔点。因此减轻了衬底片的热形变，抑制了缺陷生成。 CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等。 缺点 淀积过程容易对薄膜表面形成污染、对环境的污染等。 引言 CVD工艺用途 形成钝化保护层，介质层，导电层，和掩蔽层 经过数十年的发展，CVD已经成为半导体生产过程中最重要的薄膜沉积方法。 PVD的应用大都局限在金属膜的沉积上；