第2章半导体器件基础2011_7989_1742_20110905153843.ppt

第2章半导体器件基础2011_7989_1742_20110905153843.ppt

第2章半导体器件基础2011_7989_1742_20110905153843

定义:UGS一定时, ID与UDS的变化曲线。若干不同UGS对应一族曲线 ID=f(UDS)?UGS=C 输出特性曲线 输出特性曲线有三个区: (1)可变电阻区( 或 恒阻区) (2)恒流区(或放大区) (3)击穿区 UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=4V UGS=UGS, th UDS(V) ID(mA) 可变 电阻 区 输出特性曲线 1.可变电阻区 条件:UDSUGS-UGS, th 特点: ID与UDS的关系近似为线性: ID≈ 2K(UGS-UGS,th)UDS 当UGS变化时,RON将随之变化因此称之为可变电阻区; 当UGS一定时,RON近似为一常数因此又称之为恒阻区。 UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=4V UGS=UGS, th UDS(V) ID(mA) 可变 电阻 区 输出电阻(DS间的电阻)为 2. 恒流区 UGS一定,ID基本不随UDS变化而变, 3.击穿区 UDS 增加到某一值时,ID开始剧增而出现击穿。 该临界UDS称为漏源击穿电压。 UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=4V UGS=UGS,th UDS(V) ID(mA) ID≈K(UGS-UGS,th)2 可变 电阻 区 增强型MOS管 ? M

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档