ch31半导体中载流子的统计分布.ppt

大 纲 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 简并半导体 3.1.1 k空间中量子态的分布 二 实际半导体硅、锗，导带底附近，等能面为旋转椭球面 EC：极值能量 可计算得 3.2 费米能级EF和载流子的统计分布 3.2.1 费米分布函数和费米能级 3.2.2 玻尔兹曼分布函数 电子的费米分布函数 E-EF》k0T时 常见半导体在室温下的本征载流子浓度： Si: ni=1.5×1010cm-3 Ge: ni=2.4×1013cm-3 GaAs: ni=1.1×107cm-3 锑化铟室温时禁带宽度Eg≈0.17eV，而 mp*/mn* 之值约为32左右，于是它的费米能级Ei已经远在禁带之上。 本征载流子浓度ni为 式中Eg=Ec-Ev为禁带宽度。 Discussion: 一定的半导体材料，本征载流子浓度ni随温度的升高而迅速增加（指数增长）； 不同的半导体材料，在同一温度T时，禁带宽度Eg越大，本征载流子浓度ni就越小。 According to 得到n0p0=n2i （质量作用定律） 说明:在一定温度下，任何非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积n0p0等于该温度时的本征载流子浓度ni的平方，与所含杂质无关。 不仅适用于本征半导体材料，而且也适用于非简并的杂质半导体材料。 EF 半导体材料中，EF位于禁带内，一般 Ec –EF 》k0T EF –Ev 对导带中的所有量子态，E–Ec0,被电子占据的概率，一般都满足f(E)《1，半导体导带中的电子分布可以用电子的玻耳兹分布函数描写。 价带道理相同 Ec Ev E增大，f(E)减小，导带中绝大多数电子分布在导带底附近 Ec Ev 价带中的量子态，被空穴占据的概率，一般满足1-f(E)《1。 价带中的空穴分布服从空穴的玻耳兹曼他分布函数。 E增大，1-f（E）增大，价带中绝大多数空穴集中分布在价带顶附近。 EC EV EF （3-13）、（3-14）两个基本公式。 服从玻耳兹曼统计律的电子系统-----非简并性系统 服从费米统计律的电子系统-----------简并性系统 3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 解决第二个问题：计算半导体中的载流子浓度。 状态密度为gc(E)，E处参量E～（E+dE）之间有dZ=gc(E)dE个量子态，而电子占据能量为E的量子态的概率是f（E），则在E～（E+dE）间有 f(E)gc(E)dE个电子。 从导带底到导带顶对f(E)gc(E)dE进行积分，就得到了能带中的电子总数，再除以半导体体积V，就得到了导带中的电子浓度。 图为能带、函数f(E)、1-f(E)、gc(E)、 gv(E) 等曲线 图（e）中可看出，导带中电子的大多数是在导带底附近，而价带中大多数空穴则在价带顶附近。 图为f(E)gc(E)和[1-f(E)]gv(E)等曲线。 在非简并情况下，导带中电子浓度可计算如下。 在能量E～（E+dE）间的电子数dN为 得能量E～（E+dE）之间单位体积中的电子数为 对上式各分，得热平衡状态下非简并半导体的导带电子浓度n0为 积分上限E`c是导带顶能量。 作一变换：x=(E-Ec)/(k0T)， （3-15）变为 导带宽 积分上限改为 无穷不影响结果。 导带中的电子绝大多数在导带底部附近。 数学处理上带来了很大的方便，（3-16）可改写： Nc? T3/2是一很重要的量，称为导带的有效状态密度，是温度的函数。 是电子占据能量为Ec的量子态的概率，（3-19）可理解为把导带中所有量子态都集中在导带底Ec， Ec处的状态密度为Nc。 导带中的电子浓度是Nc中有电子占据的量子态数。 同理，热平衡状态下，非简并半导体的价带中空穴浓度p0为 Nv? T3/2是一很重要的量，称为价带的有效状态密度，是温度的函数。 　　是空穴占据能量为Ev的量子态的概率 　可理解为把价带中所有量子态都集中在导带底Ev， Ev处的状态密度为Nv，则价带中的空穴浓度是Nv中有空穴占据的量子态数。 空穴占据能量为Ev的量子态的概率 n0 、p0 与温度T有关，与EF有关。 T的影响来自两方面 ： Nc、Nv正比于T3/2 指数部分随温度迅速变化。 EF, T确定，就可以计算导