ch31半导体中载流子的统计分布.pptVIP

大 纲 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 简并半导体 3.1.1 k空间中量子态的分布 二 实际半导体硅、锗，导带底附近，等能面为旋转椭球面 EC：极值能量 可计算得 3.2 费米能级EF和载流子的统计分布 3.2.1 费米分布函数和费米能级 3.2.2 玻尔兹曼分布函数 电子的费米分布函数 E-EF》k0T时 常见半导体在室温下的本征载流子浓度： Si: ni=1.5×1010cm-3 Ge: ni=2.4×1013cm-3 GaAs: ni=1.1×107cm-3 锑化铟室温时禁带宽度Eg≈0.17eV，而 mp*/mn* 之值约为32左右，于是它的费米能级Ei已经远在禁带之上。 本征载流子浓度ni为 式中Eg=Ec-Ev为禁带宽度。 Discussion: 一定的半导体材料，本征载流子浓度ni随温度的升高而迅速增加（指数增长）； 不同的半导体材料，在同一温度T时，禁带宽度Eg越大，本征载流子浓度ni就越小。 According to 得到n0p0=n2i （质量作用定律） 说明:在一定温度下，任何非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积n0p0等于该温度时的本征载流子浓度ni的平方，与所含杂质无关。