第一章能带理论.ppt

5. 宽禁带半导体材料（Eg?2.3）的能带 SiC、金刚石、II族氧化物、 II族硫化物、 II族硒化物、III氮化物及其合金 ?高频、高功率、高温、抗辐射和高密度 集成的电子器件 ?蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探 测器件 SiC的晶格结构和能带 同质多象变体（同质多型体）： 在不同的物理化学环境下，形成两种或两 种以上的晶体，这些成分相同，形态、构造和 物理性质有差异的晶体称为 ~ 。 SiC的多象变体约 200 多种。 结构的差异使 SiC 的禁带宽度不同 ?－SiC: 立方晶体结构的 SiC 变体 ?－SiC: 六方和菱形晶体结构的 SiC 变体 ?－SiC 晶体的能带特点 间接带隙 导带极小值在 X 点（X1c） 价带极大值在 ? 点（?15v） 0.40 0.44 0.48 2 4 6 8 10 12 晶格常数 a(nm) 能量 E(eV) X1c L1c ?15c ?1c 压力显著改 变能带结构 ?－SiC 的能隙与晶格常数 a 的关系 GaN, AlN 的晶格结构和能带 III族氮化物： GaN, AlN, InN, AlGaN, GaInN, AlInN, AlGaInN等 禁带宽度范围： 红、黄、绿、蓝和紫外光 晶格结构： 闪锌矿和纤锌矿 GaN晶体的能带特点 直接带隙 导带极小值与价带极大值在 ? 点 对纤锌矿和闪锌矿结构 AlN晶体的能带特点 对纤锌矿结构 直接带隙 导带极小值与价带极大值在 ? 点 对闪锌矿结构 间接带隙 ?导带极小值在 X 点，价带极大值在 ? 点 第一章 小结 ●在完整的半导体中，电子的能谱是一些密集的能级组成的带（能带），能带与能带之间被禁带隔开。在每个能带中，电子的能量E可表示成波矢的函数E(k)。在绝对零度时，完全被电子充满的最高能带，称为价带，能量最低的空带称为导带。 ●有效质量的概念及物理意义。 ●两种载流子的比较 价带附近的空状态，称为空穴。可以把它看成是一个携带电荷（+q)、以与空状态相对应的电子速度运动的粒子。空穴具有正的有效质量。 ●直接带隙半导体和间接带隙半导体 * 晶胞　能完整反映晶体内部原子或离子在三维空间分布之化学-结构特征的平行六面体单元。其中既能够保持晶体结构的对称性而体积又最小者特称“单位晶胞”，但亦常简称晶胞。其具体形状大小由它的三组棱长a、b、c及棱间交角α、β、γ（合称为”晶胞参数”）来表征，与空间格子中的单位平行六面体相对应。 * 晶面指数（indices of crystal face）是晶体的常数之一，是晶面在3个结晶轴上的截距系数的倒数比，当化为最简单的整数比后，所得出的3个整数称为该晶面的米勒指数（Miller indices）。 * 第一布里渊区是动量空间中晶体倒易点阵的原胞。在波矢空间中取某一倒易阵点为原点，作所有倒易点阵矢量的垂直平分面，这些面波矢空间划分为一系列的区域：其中最靠近原点的一组面所围的闭合区称为第一布里渊区；在第一布里渊区之外，由于一组平面所包围的波矢区叫第二布里渊区；依次类推可得第三、四、…等布里渊区。各布里渊区体积相等，都等于倒易点阵的元胞体积。由于完整晶体中运动的电子、声子、磁振子、……等元激发（见固体中的元激发）的能量和状态都是倒易点阵的周期函数，因此只需要用第一布里渊区中的波矢来描述能带电子、点阵振动和自旋波……的状态，并确定它们的能量（频率）和波矢关系。限于第一布里渊区的波矢称为简约波矢，而第一布里渊区又叫简约区，在文献中不加定语的布里渊区指的往往就是它。 * 在完整晶体中，晶格在空间的三个方向上都具有一定的周期对称性，这样可以取一个以结点为顶点，边长等于这三个方向上的周期的平行六面体作为最小的重复单元，来概括晶格的特征，这样的重复单元称为初基原胞或简称原胞。 * 为何研究等能面？等能面的形状与有效质量密切相关。对球形等能面，有效质量各向同性，即只有一个有效质量。对椭球等能面，有效质量各向异性，即在不同的波矢方向上对应不同的有效质量。 * 将一半导体样品放在一均匀恒定的磁场B中, 电子在磁场中作螺旋运动,它的回旋频率ωc 与有效质量(对于球形等能面)的关系为: 2. 回旋共振法 测出共振吸收时电磁波的频率 ? 和磁感应强度 B，便可算出有效质量 m*。 再以电磁波通过半导体样品，当交变电磁场 频率 ? 等于 ?c 时，就可以发生共振吸收。 确定能带极值附近 E(k) 与 k 的关系。 E(k)等能面的球半径为: 设 B 沿 kx, ky, kz 轴的方向余弦分别为?，?，?，则 如果等能面是椭球面，则有效质量是各 向异性的。沿kx, ky, kz 轴方向分别为 mx*, my*, mz*。 二. 半导体的能带结构 1. 元素半导体的能带结构 金刚石结构 能