扫描式电子显微镜原理简介精编.pptVIP

四.影像侦测记录系统 扫描电镜可接收样品发出的多种信号成像，其中二次电子信号图像质量如分辨率、立体感、景深等方面都较好。 影像的产生 由灯丝释出的电子经过一系列电磁透镜后被聚成一细微的电子束照射在样品表面，并由扫描线圈使电子束在样品表面规则来回扫描。由于镜柱中的扫描状态与TV屏幕上的扫描同步，因此在样品表面上的每个扫描点，因电子束的作用所产生的二次电子或背向散射电子，只要能进入接收器，便会经过放大后，在TV屏幕相对的扫描位置上产生亮点。换句话说产生二次电子或背向散射电子越多，屏幕上光点越亮，讯号少，光点越暗，因此就可在屏幕上由亮暗光点完整的影像。 二次电子探测器示意图 二次电子收集系统由栅网、聚焦环和闪烁体组成。栅网上加+250V电压，用来吸引二次电子。通过调整聚焦环位置可改变闪烁体前加速电场分布，使二次电子比较集中打到加有+12kV高压的闪烁体上。 二次电子大部分信号穿过栅网，打到闪烁体上，转换成光信号，经光电倍增管输出的电流信号接到视频放大器，再稍放大后即可用来调制显像管亮度，从而获得图像。 二次电子探测器示意图 低真空二次电子探头 影像放大倍率的改变 SEM的放大倍率的决定，在于控制电子束在样品表面扫描的范围的大小，由于屏幕的尺寸固定，因此扫描范围越小，屏幕上所显现的影像相对放大率就越大。 五. 扫描电子显微镜的主要性能 分辨率 （有效放大倍数） 景深 样品室大小 低真空、低电压分辨率 分辨率 对微区成分分析而言，它是指能分析的最小区域；对成像而言，它是指能分辨两点之间的最小距离。 入射电子束束斑直径 入射电子束在样品中的扩展效应 成像方式及所用的调制信号 二次电子像的分辨率约为3-10nm，背反射电子像的分辨率约为50-200nm。X射线的深度和广度都远较背反射电子的发射范围大，所以X射线图像的分辨率远低于二次电子像和背反射电子像。 景深 景深是指一个透镜对高低不平的试样各部位能同时聚焦成像的一个能力范围。 扫描电镜的景深为比一般光学显微镜景深大100-500倍，比透射电镜的景深大10 倍。 d0临界分辨本领， 电子束的入射角 六. 样品制备 扫描电镜的最大优点是样品制备方法简单，对金属和陶瓷等块状样品，只需将它们切割成大小合适的尺寸，用导电胶将其粘接在电镜的样品座上即可直接进行观察。 对于非导电样品如塑料、矿物等，在电子束作用下会产生电荷堆积，影响入射电子束斑和样品发射的二次电子运动轨迹，使图像质量下降。因此这类试样在观察前要喷镀导电层进行处理，通常采用二次电子发射系数较高的金银或碳膜做导电层，膜厚控制在20nm左右。 样品稳定性以及导热性：样品在高能电子束的照射下，温度会升高，有的样品会溶化或分解，会对电镜造成严重的污染。放大倍数越高，对样品导电性和导热性的要求越高。 样品需要保持洁净，一般在测试前需要用超声波清洗。 样品需要保持干燥，特别对于多孔物质要注意。 七、注意事项 安全 防止样品污染 数据保存 记录 THE END * * 用于观察的显像管分辨率较低，边长10CM荧光屏上有500条线；用于照相记录的显像管分辨率较高，边长10CM荧光屏上有800-1000条线。 扫 描 电 子 显 微 镜 原 理Theory of Scanning Electron Microscope OM，TEMSEM的成像原理 OM，TEMSEM的比较表 扫描电镜的优点 高的分辨率。由于超高真空技术的发展，场发射电子枪的应用得到普及，现代最先进的扫描电镜的分辨率已经达到0.6纳米左右，钨灯丝扫描电镜的分辨率一般在3nm左右。 有较高的放大倍数，20-40万倍（钨灯丝4~10万倍）之间连续可调； 有很大的景深，视野大，成像富有立体感，可直接观察各种试样凹凸不平表面的细微结构 试样制备简单。 不仅仅是一个放大镜。可选配X射线能谱仪和EBSD系统，这样可以同时进行显微组织性貌的观察、微区成分分析和微区晶体学分析。 Optical Microscope VS SEM 扫描式电镜结构原理图 电子显微镜分为四部分： 1.照明系统 2.成像电磁透镜系统 3.样品室、真空及电气系统 4.影像侦测记录系统 扫描式电子显微镜放大原理 一.照明系统 1.电子枪：发射电子束的电子源。 2.聚光镜：其作用主要是把电子枪的束斑逐渐缩小，是原来直径约为50mm的束斑缩小成一个只有数nm的细小束斑。扫描电镜一般有三个聚光镜，前两个透镜是强透镜，用来缩小电子束光斑尺寸。第三个聚光镜是弱透镜，具有较长的焦距，在该透镜下方放置样品可避免磁场对二次电子轨迹的干扰。 电子枪的结构 1.阴极:钨丝等 2.栅极:威尔罩 3.阳极 电子枪的分类 作为阴极的电子源有三类： （1）钨丝 （2）LaB6丝 以上两类都是由热游