第10章IGBT的设计及仿真验证导论.ppt

* */43 （2）高压终端结构的仿真 为了获得高的耐压，需要多个场限环来分担高电压； 虽然通过理论计算可以获得理想的场限环结构，但由于实际工艺中不可避免的存在各种偏差，如光刻套偏，侧向腐蚀等； 为了保证足够的耐压，在理论计算的基础上多加1-2个环； 采用18个环的结构（用MEDICI直接构造） 环n 1 2 3 4 5 6 7 8 9 间距(um) 8 8 8 8 9 9.5 10 10 11 环n 10 11 12 13 14 15 16 17 18 间距(um) 12 13 13 浙大微电子 * */43 18个场限环结构的击穿电压仿真结果：1875V 浙大微电子 * */43 本章内容 一、IGBT结构简介 二、IGBT元胞结构设计 三、高压终端结构的设计 四、IGBT工艺流程设计 浙大微电子 * */43 （1）使用材料的选择 硅外延片（适用于≤ 1200V 产品 ） 硅单晶 两种硅单晶比较 Method CZ（直拉） FZ（区熔） 直径（mm） 76~450 50~200 电阻率 0.002~60 0.1~10000 电阻率均匀性 ≤15% 5~15% 成本 低 高 浙大微电子 * */43 （2）参数及工艺流程 由第二部分Medici确认结深及掺杂，则工艺参数的制定因以达到相关结构参数来选择； 由于IGBT的正面结构与VDMOS的正面结构基本相同，因此其正面结构的工艺流程可以参考第九章相关VDMOS的工艺流程； 此例中1700V IGBT采用的工艺流程是：首先在高阻N-硅单晶上进行高温深结N+扩散（三重扩散），扩散完成后磨去正面的扩散层，然后使用VDMOS相关的自对准工艺制造正面结构，正面结构完成后研磨背面扩散层，保留一定厚度的 N+扩散区作为背面的缓冲层，最后在背面进行P+注入和退火形成背面的集电极。 浙大微电子 * */43 工艺流程示意图 N-衬底 三重扩散 正面研磨 生长场氧 多晶硅淀积 栅氧生长 P+/环注入 P+/环光刻 多晶硅刻蚀 P-注入 P-/P+退火 N+区注入 蒸镀铝膜 引线孔刻蚀 PSG回流 淀积PSG 铝反刻 铝合金 背面研磨 背面P+注入 封装 芯片中测 背面金属化 P+激活 浙大微电子 * */43 TSuprem-4工艺仿真后正面的网格分布图 浙大微电子 * */43 把TSuprem-4模拟后形成的及器件结构文件导入相关medici文件做阈值电压、耐压网格、电流等的仿真。 阈值电压的仿真结果：3.2V 浙大微电子 * */43 正向阻断电压的仿真结果：2045 V 浙大微电子 * */43 25℃时集电极电流与集电极电压的变化示意图（VGE=15V） 浙大微电子 * */43 90℃时集电极电流与集电极电压的变化示意图（VGE=15V） 浙大微电子 * */* 浙大微电子 浙大微电子 第10章 IGBT的设计及仿真验证 * */43 本章内容 一、IGBT结构简介 二、IGBT元胞结构设计 三、高压终端结构的设计 四、IGBT工艺流程设计 浙大微电子 * */43 本章内容 一、IGBT结构简介 二、IGBT元胞结构设计 三、高压终端结构的设计 四、IGBT工艺流程设计 浙大微电子 * */43 IGBT基本结构及特点 与功率MOSFET只有一层之差，即背面P型层代替N型层； 电压控制型器件； 具有MOS器件高输入阻抗，容易控制与双极型（BJT）器件高电流密度，低导通电阻的双重优点； 广泛应用于各种功率转换、马达驱动等电力电子装置中； 浙大微电子 * */43 IGBT结构示意图 正向导通模式： VCE＞0.7V，VGE＞VTH 正向阻断模式 VCE＞0 V，VGE＜VTH 反向阻断模式 VCE＜0 V 三种工作模式： 浙大微电子 * */43 等效电路图 电路符号 封装后产品 浙大微电子 * */43 穿通型IGBT（PT-IGBT） 非穿通型IGBT（NPT-IGBT） 浙大微电子 * */43 IGBT的闩锁效应 IGBT中PNP晶体管和寄生的NPN晶体管构成类似PNPN晶闸管的结构。依据晶闸管原理，一旦这个结构导通，将处于无法关断状态，这就称为IGBT器件的闩锁效应。 闩锁发生条件：当PNP和NPN两管的共基极电流放大系数之和满足以下条件： 抑制闩锁：在P-base区增加P+区，减小Rs，防止寄生NPN晶体管开启。 浙大微电子 * */43 本章内容 一、IGBT结构简介 二、IGBT元胞结构设计 三、