第二章力传感器1.pptVIP

* 1、柱力式传感器 圆柱式力传感器的弹性元件分为实心和空心两种。 柱式力传感器 -ε2 +ε1 截面积S F F F 面积S -ε1 +ε2 b） a） 在轴向布置一个或几个应变片，在圆周方向布置同样数目的应变片,后者取符号相反的横向应变，从而构成了差动对。由于应变片沿圆周方向分布，所以非轴向载荷分量被补偿，在与轴线任意夹角的α方向，其应变为 ： ε1——沿轴向的应变；μ——弹性元件的泊松比。 当α=0时 当α=90?时 E：弹性元件的杨氏模量 * 2、梁力式传感器 等强度梁弹性元件是一种特殊形式的悬臂梁。梁的固定端宽度为b0，自由端宽度为b，梁长为L，粱厚为h。 力F作用于梁端三角形顶点上，梁内各断面产生的应力相等，故在对L方向上粘贴应变片位置要求不严。 横截面梁 双空梁 S形弹性元件 * 各种平行双孔梁 * P （b） （a） 应变式压力传感器 3、应变式压力传感器 测量气体或液体压力的薄板式传感器，如图所示。当气体或液体压力作用在薄板承压面上时，薄板变形，粘贴在另一面的电阻应变片随之变形，并改变阻值。这时测量电路中电桥平衡被破坏，产生输出电压。 圆形薄板固定形式：采用嵌固形式，如图（a）或与传感器外壳作成一体，如图 (b)。 应变片 * 4、应变式加速度传感器 壳体 机座 a F R1 R2 m 充满硅油 基本结构由悬臂梁、应变片、质量块、机座外壳组成。悬臂梁（等强度梁）自由端固定质量块，壳体内充满硅油，产生必要的阻尼。 当壳体与被测物体一起 作加速度运动时，悬臂梁在 质量块的惯性作用下作反方 向运动，使梁体发生形变， 粘贴在梁上的应变片阻值发 生变化。通过测量阻值的变 化求出待测物体的加速度。 ??? * 二、 压阻式传感器 是利用硅的压阻效应和微电子技术制成的，是一种新的物性型传感器。 优点：灵敏度高、动态响应好、精度高、易于微型化和集成化等。 （一）?? 压阻效应 固体材料在应力作用下发生形变时，其电阻率发生变化的现象被称为压阻效应。 对半导体材料 对金属材料 电阻相对变化量 π——压阻系数 σ——应力 E——弹性模量 * 由于πE一般都比（1+2μ）大几十倍甚至上百倍，因此，引起压阻效应的主要原因是半导体材料电阻相对变化，则上式可近似写成 式中 π——压阻系数；E——弹性模量； σ——应力； ε——应变。 上式表明压阻传感器的工作原理是基于压阻效应。 扩散硅压阻式传感器的基片是半导体单晶硅。单晶硅是各向异性材料，取向不同其特性不一样。而取向是用晶向表示的，所谓晶向就是晶面的法线方向。 * ? C Z O B A X Y 1 1 晶体晶面的截距表示 （二）晶向、晶面的表示方法 结晶体具有多面体的形态，由分子、原子或离子有规则排列而成。多面体的表面由许多晶面围合而成。晶面与晶面相交的直线称为晶棱，晶棱的交点称为晶体的顶点。为了说明晶格点阵的配置和确定晶面的位置，通常引进一组对称轴线，称为晶轴，用X、Y、Z表示。 硅为立方晶体结构，就取立方晶体的三个相邻边为X、Y、Z。在晶轴X、Y、Z上取与所有晶轴相交的某晶面为单位晶面，如图所示。 * 此晶面与坐标轴上的截距为OA、OB、OC。已知某晶面在X、Y、Z轴上的截距为OAx、OBy、OCz，它们与单位晶面在坐标轴截距的比可写成 p、q、r为没有公约数(1除外)的简单整数。取其倒数得 h、k、l也为没有公约数的简单整数。依据上式可知，截距OAx、OBy、OCz的晶面，能用三个简单整数h、k、l来表示。h、k、l称为密勒指数。而晶向是晶面的法线方向，根据规定，晶面符号为(hkl)，晶面全集符号为{hkl}，晶向符号为 [hkl]，晶向全集符号为〈hkl〉。 * （三）固态压阻器件 1、固态压阻器件的结构原理 利用固体扩散技术，将P型杂质扩散到一片N型硅底层上，形成一层极薄的导电P型层，装上引线接点后，即形成扩散型半导体应变片。若在圆形硅膜片上扩散出四个P型电阻，构成惠斯登电桥的四个臂，这样的敏感器件通常称为固态压阻器件，如图所示。  １ ２ ３ ４ ５ ７ ６ 1 N-Si膜片 2 P-Si导电层 粘贴剂 硅底座 引压管 Si 保护膜 7 引线? * USC R－ΔR +ΔRT 恒流源供电 A C D B R－ΔR +ΔRT R+ΔR +ΔRT R+ΔR +ΔRT E 2、测量桥路及温度补偿 为减