半导体集成电路_07MOS反相器-MOS晶体管导论.ppt

2017-4-10 半导体 集成电路 2017-4-10 MOSFET晶体管 2017-4-10 MOS晶体管 本节课主要内容 器件结构 电流方程 电流电压特性 衬底偏压效应 短沟道效应 MOSFET的电容 MOSFET的导通电阻 2017-4-10 MOSFET MOS晶体管的动作 MOS晶体管实质上是一种使 电流时而流过，时而切断的开关 n+ n+ p型硅基板 栅极 绝缘层（SiO2） 半 导 体 基 板 漏极 源极 N沟MOS晶体管的基本结构 2017-4-10 MOS晶体管的符号 NMOS PMOS (a) (b) NMOS PMOS 2017-4-10 非饱和区的电流方程 2017-4-10 饱和区的电流方程 MOS晶体管 沟道长度调制效应 2017-4-10 非饱和区的电流方程: 饱和区的电流方程: 记住 2017-4-10 ID (0VDSVGS-VTH) (0 VGS-VTH VDS) 2017-4-10 mn ：为Si中电子的迁移率 Cox : 为栅极单位电容量 W : 为沟道宽 L : 为沟道长 Cox Cox=eox/tOX 常令 Kn’＝mnCox , Kp’＝mpCox 导电因子 2017-4-10 影响MOS晶体管特性的几个重要参数 MOS晶体管的宽长比（W/L) NMOS的IDS-VDS特性（沟道长1mm) 饱和区 非饱和区 1.0V 1.5V 2.0V 2.5V IDS VDS VGS 2017-4-10 PMOS的IDS-VDS特性（沟道长1mm) 2017-4-10 MOS管的电流解析方程（L〉1mm) 工艺参数 ID (0VDSVGS-VTH) (0 VGS-VTH VDS) 沟道长度调制系数 VTH 阈值电压 2017-4-10 nMOS晶体管的I-V特性 VTH ID VG ID VG 增强型（E) 耗尽型(D) NMOS的ID-VG特性(转移特性） VGS=0 阈值电压的定义 饱和区外插VTH 在晶体管的漏源极加上接近电源VDD的电压，画出VGS-IDS的关系曲线，找出该曲线的最大斜率，此斜率与X轴的交点定义为阈值电压。 以漏电流为依据定义VTH 在晶体管的漏源极加上接近电源VDD的电压，画出VGS-Log(IDS)的关系曲线，从该曲线中找出电流为1微安时所对应的VGS定义为阈值电压。 MOS晶体管 2017-4-10 MOS管的跨导gm（饱和区） 表征电压转换电流的能力 2017-4-10 衬底偏压效应 通常衬底偏压VBS=0, 即NMOS的衬底和源都接地， PMOS衬底和源都接电源。 衬底偏压VBS0时，阈值电压增大。 MOS晶体管 MOS管短沟道效应 IDS 正比于 W/L, L要尽可能小 当沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应。 栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，并且随着沟道长度的减小，受栅控制的耗尽区电荷不断减少，因此，只需要较少的栅电荷就可以达到反型，使阈值电压降低 MOS晶体管 2017-4-10 载流子的饱和速度引起的 Early Saturation 微小MOS晶体管 沟道长小于1微米时，NMOS饱和 NMOS和PMOS的饱和速度基本相同 PMOS不显著 饱和早期开始 2017-4-10 短沟道MOS晶体管电流解析式 微小MOS晶体管 2017-4-10 微小MOS晶体管的静态特性(沟道长小于1mm) 微小MOS晶体管 NMOS 当VDSAT=1V,速度饱和 PMOS 迁移率是NMOS的一半 一般没有速度饱和 2017-4-10 MOSFET的电容 MOS寄生元素 2017-4-10 MOSFET栅极电容 CGSO和CGDO—交叠电容，由源漏横向扩散形成，值一定 大多数情况下，忽略电压的影响， CGC近似为CoxWL。根据 MOSFET的工作区域，CGC分配给CGD,CGS和CGB。 2017-4-10 MOSFET栅极电容(cont.) 截止区： 沟道未形成，CGD=CGS=0, CGB=CGC ≈ CoxWL 2017-4-10 MOSFET栅极电容(cont.) 非饱和区： 沟道形成，相当于D、S连通， CGD=CGS ≈(1/2) CoxWL CGB=0 Gate P_SUB n+ S n+ D CGC CGDO CGSO 非饱和区 (VGSVTH, VDS VGS-VTH) 2017-4-10 MOSFET栅极电容(cont.) 饱和区： 漏端沟道夹断，CGB=0， CGD=0 CGS≈(2/3) CoxWL