模电场效应管放大电路摘要.ppt

电子技术基础 A（模拟部分） 5：场效应管 放大电路 5.1.1. N沟道增强型MOSFET 5.1.2. N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3. P沟道MOSFET 5.1.4. 沟道长度调制效应 5.1.5. MOSFET的主要参数 5.1.0 概述 特点：场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） 分类： 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构与符号 增强型(Enhancement) 耗尽型(Depletion) N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 工作原理差别在于VGS= 0时，是否存在导电沟道！ 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构与符号 P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 N 沟道增强型 源极Source 栅极Grid 漏极Drain 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构与符号 N 沟道增强型 P 沟道增强型 UGS = 0时: 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 对应截止区 D-S 间相当于两个反接的PN结 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 VT：阈值电压 UGS 0时: UGS足够大( VT )，可感应出足量电子，形成N型 (电子) 导电沟道 感应出电