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一、已知某传感器的校准曲线为：y=1+x2 (x=0~4)，试计算（1）该系统的灵敏度；（2）用端基法计算线性度。 灵敏度k为拟合直线斜率。k=(17-1)/4=4.y=4x+1 线性度:△y=(4x+1)-(1-x2)=4x+x2. △ym=4;(x=2);yFS=16. γL=4/16=25% 一压力传感器的校准数据如表所示。求： 1、端点连线方程；2、端点连线平移方程；3、端点平移线性度 4、迟滞误差； 5、系统灵敏度。 正行程平均M 0.0027 0.2018 0.4008 0.6000 0.7962 0.9995 反行程平均N 0.0035 0.2027 0.4020 0.6012 0.8005 总平均A 0.0031 0.2023 0.4014 0.6006 0.7984 0.9995 理论计算值B 0.0031 0.2024 0.4017 0.6009 0.8002 0.9995 △L=A-B 0.0000 -0.0001 -0.0003 -0.0003 -0.0018 0 △H=M-N -0.0008 -0.0009 -0.0012 -0.0012 -0.0043 解答： 1、端点连线方程；y=kx+0.0031(V) yFS=0.9995-0.0031=0.9964 2、端点连线线性度； 3 、端点连线迟滞误差； 4 、端点连线斜率=灵敏度； k=(0.9995-0.0031)/((2.5-0) ×105) =0.3986 ×10-5(V/Pa). 5、端点平移线性度： 取(A-B)/2=0.0009,线性度也少一半： 0.09%.向下平移（曲线在直线下方）。 方程： y=kx+0.0031-0.0009=kx+0.0022(V) 6、方法：先平均，再计算。 如图所示电路,设Ep=Asinωt, 且Ek与Ep同频率,同相位,并EkE1或E2。试分析衔铁的位移在Δx0, Δx=0, 和Δx0时 U01,U02和U0的波形,并说明该电路是否可以判断方向. Ek与Ep同频率,同相位,并EkE1或E2。 二极管的导通由EK决定。正半波导通。 U01=EK+E1;U02=E2-EK; U0=U01+U02=E1+EK+E2-EK=E1+E2; x0,ES1-ES20(同名端一致), U00; x=0,ES1-ES2=0 , U0=0; x0,ES1-ES20 , U00; x0 x0 如图所示自感式传感器相敏检波测量电路,设E=Asinωt, 试分析衔铁的位移在Δx0, Δx=0, 和Δx0时 U01,U02和U0的波形,并说明该电路是否可以判断方向. 当衔铁处于中间时，Z1=Z2, I1=I2, U01 = U02 , U0=0。 当衔铁向上偏移，Z2Z1, I1I2, U01 U02 , U00 (x0)。 当衔铁向下偏移，Z2Z1, I1I2, U01 U02 , U00 (x0) 。注意是正半波导通。 如图所示晶片，已知其表面面积Ax，Ay和Az，现有（1）Fx，Fy同时作用在Ax，Ay面上，请指出哪个面上出现电荷，并计算电荷量的值；（2）单向应力σx，σy同时作用在Ax，Ay面上，请指出哪个面上出现电荷，并计算电荷量的值。 根据压电方程 (1)已知Fx，Fy，Ax，Ay (2)已知σx，σy ，Ax，Ay 其中，P=Q/S， σ=F/S （S为作用面的面积） 回路电势:E(T)=EAC(T)+ECB(T)+EBb(Tn)+ Eba(T0) + EaA(Tn) = EAC(T)+ECB(T)+EBb(Tn) + EaA(Tn) -Eab(T0) = EAB(T)-EAB(Tn)+Eab(Tn) -Eab(T0)= EAB(T, Tn)+Eab(Tn, T0) T 现有两种转速系统需要测量。一种转速为600转/分，另一种转速为50000转/分，请分别为这两台电机各设计一套转速测量系统。要求指明所用的光敏器件具体名称（如：光电池，光敏电阻，光敏晶体管等），所用的材料（如：硫化铊，硅，锗，硒等），所用的照射光的频率，并画出测量系统的框图。 方法： 开关应用→光电特性(线性/非线性)→元器件→光敏电阻等 频率→频率特性→材料→光谱特性→光源 (1)转速为600转/分，频率为10Hz; 材料：硫化铊→大约1.1?m(红外波长范围为0.78~1000 ? m), (2)转速为50000转/分，频率为833Hz; 材料：硫化铅→大约2.5?m(红外), 解答： (1)转速为600转/分，频率为10Hz; 材料：硫化铊→