微电子器件(3-5)浅析.ppt

* 3.5 双极晶体管的反向特性 3.5.1 反向截止电流 各种反向截止电流的小结 (1) IES ：VBE 0 、VBC = 0 时的 IE ，即单个发射结的反向饱和电流。 VBE IES E B C N+ P N (3) ICBO ：VBC 0 、IE = 0 时的 IC ， 在共基极电路放大区中， VBC ICBO E B C N+ P N (2) ICS ：VBC 0 、VBE = 0 时的 IC ，即单个集电结的反向饱和电流。 VBC ICS E B C N+ P N (5) IEBO ：VBE 0 、IC = 0 时的 IE ， VBE IEBO E B C N+ P N (4) ICEO ：VBC 0 、IB = 0 时的 IC ， 在共发射极电路放大区中， VCE ICEO E B C N+ P N 当发射极开路时，IE = 0，但这并不意味着 VBE = 0。那么 VBE 为多少呢？根据 NPN 管的共基极电流电压方程 浮空电势与 ICBO VCB ICBO IE = 0 浮空电势 E B C N+ P N (3-59b) (3-59a) 将 IE = 0 代入方程（3-59a），得 考虑到 VBC 0 以及互易关系 ，得 (3-59b) (3-59a) np0 np(x) 0 WB P 型基区 于是从上式可解得 浮空电势 为 上式说明，在测量 ICBO 时晶体管的两个结都是反偏的。 在测量 ICBO 、ICS 和 ICEO 时，集电结都是反偏的，而发射结分别为反偏、零偏和正偏，因此这 3 个电流的大小关系是， 如果基区足够长，以至于两个 PN 结之间没有耦合作用，即 则 3 个电流的大小相同，都等于单个集电结的反向饱和电流。 3.5.2 共基极接法中的雪崩击穿电压 已知 PN 结的雪崩倍增因子 M 可以表示为 在工程实际中常用下面的经验公式来表示当 已知击穿电压时 M 与外加反向电压之间的关系， 当 |V | = 0 时，M = 1； 当 |V | → VB 时，M → ∞ 。 对于硅 PN 结， S = 2 ( PN+ 结 ) S = 4 ( P+N 结 ) 对于晶体管，在共基极接法的放大区， ， 当发生雪崩倍增效应时，IC 成为 式中， ， ，分别代表计入雪崩倍增 效应后的共基极电流放大系数与反向截止电流。 定义：发射极开路时，使 I’CBO →∞ 时的 |VBC | 称为 共基极集电结雪崩击穿电压，记为 BVCBO 。 显然，当 |VBC | → VB 时，M → ∞ ，I’CBO = M ICBO → ∞ ，所以 BVCBO = VB 。 雪崩击穿对共基极输出特性曲线的影响 3.5.3 共发射极接法中的雪崩击穿电压 在共发射极接法的放大区中， 当发生雪崩倍增效应时，IC 成为 式中， 分别代表计入雪崩倍增效应后的共发射极放大系数与穿透电流。 可见雪崩倍增对 与 ICEO 的影响要比对 与 ICBO 的影响大得多。或者说，雪崩倍增对共发射极接法的影响要比对共基极接法的影响大得多。 定义：基极开路时，使 I’CEO → ∞ 时的 VCE 称为 集电极-发射极击穿电压 ，记为 BVCEO 。 BVCEO 与 BVCBO 的关系 当 时，即 时， ，将此关系 即 代入 M 中，得 在击穿的起始阶段电流还很小， 在小电流下变小，使满足击穿条件 的 M 值较大，击穿电压 BVCEO 也就较高。随着电流的增大， 恢复到正常值，使满足 的 M 值减小，击穿电压也随之下降到与正常的 与 值相对应的 ，使曲线的击穿点向左移动，形成一段负阻区。 ICEO ~VCE 曲线中经常会出现一段 负阻区。图中， VSUS 称为维持电