半导体磁和压阻研究.ppt

第十二章 半导体磁和压阻效应 学生：李小国 学号：110420088 专业：物理化学 第十二章 半导体磁和压阻效应 §12.1 霍耳效应 §12.2 磁阻效应 §12.3 磁光效应 §12.4 量子化霍耳效应 12.1 霍耳效应 1.一种载流子的霍耳效应 P型半导体：当沿Ox方向加电场Ex时，空穴漂移速度为vx,电流密度JX =pqvx 。 在垂直磁场Bz作用下，空穴受到洛伦兹力qvB,方向沿-y方向，大小为qvxBz 。 在洛伦兹力作用下，空穴向-y方向偏转，如同附加一个横向的电流，因而在样品两端引起电荷积累，A面积累积了空穴，即正电荷，如图示。 n型半导体， 电子沿飘移速度沿 -x方向，洛伦兹力为-qv×B，仍-y方向，但A面积累积了电子，霍尔电场沿-y方向。 - qEy－ q vxBz＝0 则 2.载流子在电磁场中的运动 上式的运动轨迹为 3.两种载流子的霍耳效应 4. 霍耳效应的应用 12.2 磁阻效应 在与电流垂直的方向加磁场后，进一步研究发现，沿外加电场方向的电流密度有所降低，即由于磁场的存在，半导体的电阻增大，这个现象称为磁阻效应。 磁阻效应分为物理磁阻效应和几何磁阻效应。 1.物理磁阻效应