微弱信号检测：噪声与低噪声设计浅析.ppt

* * * * * * * * * * * 一般采用电导率高的材料作屏蔽体，并将屏蔽体接地。它是利用屏蔽体在高频磁场的作用下产生反方向的涡流磁场与原磁场抵消而削弱高频磁场的干扰，又因屏蔽体接地而实现电场屏蔽。屏蔽体的厚度不必过大，而以趋肤深度和结构强度为主要考虑因素。 电磁场屏蔽 电路接地 1. 单点串联接地 布线简单方便适用于噪声要求不高的电路中，以及脉冲数字电路 不适用各部分功率差异较大的情况（地电流差异大），微弱信号检测电路 2. 单点并联接地 引线较长，常会带来较大的布线电容和电感，最适用于频率低于1MHz的低频小信号。 当频率为1-10MHz时，最长接地线不超过波长1/20，当频率超过10MHz时，必须考虑多点接地法。 3. 多点接地（适用于高频电路10MHz以上，低频性能较差） 地板可以是金属条，也可以是金属机板。 4. 混合接地（既能用于高频，又能用于低频） 系统的地回路电流 共模源 共模干扰电压在前置放大器输入端产生的干扰电压： 隔离 变压器隔离 适用于信号源内阻较小的检测电路。 由于变压器的带宽较窄，不可能用一个变压器覆盖整个放大器的工作频率范围。 光电耦合隔离（两部分完全绝缘，隔离效果最好） 由于信号传输关系是非线性的，所以一般只能用于数字信号。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 放大器的等效输入噪声与信号源内阻的关系 高噪声放大器 低噪声放大器 最佳源电阻与噪声匹配 不同放大器的NF随Rs/Rso变化的曲线 噪声因子NF NF=0,即F=1，为理想无噪声放大器。 NF越大，放大器性能越差 考虑3级放大器，总得输出噪声功率Po为： PNi PN1 PN2 PN3 PNo KP1 KP2 KP3 级联放大器的噪声系数 结论： 1．第一 级放大器噪声对系统影响最大，重点要减少前置放大器的噪声系数； 2. 放大倍数分配原则先大后小； 3．以上公式和结论适合于线性电路中。 弗里斯公式： 运算放大器的噪声特性 大量晶体管（PN结产生散弹噪声），一定数量的电阻（热噪声），引脚（1/f噪声） 返回幻灯片 48 低噪声前置放大器的设计 放大器的主要指标有：增益，带宽，输入、输出阻抗，稳定性，经济性和噪声特性。 1. 放大器的设计指标 （1）根据输入和输出电平，决定放大器的总增益。然后，按一般单级放大器增益，确定分级效。据各级放大器特点，作增益分配。 （5）噪声水平以测量精度或最低可检测水平决定。 （6）经济指标，当然是在满足技术指标前提下，越低越好。 （2） 应据要求，确定放大器的工作频率范围。 （3）输出阻抗要很小于常用负载，以确保负载对放大器影购较小。输入阻抗要很大于信号源内阻，尽量减低对信号源的影响。 （4）稳定性是放大器酌一个重要指标。对晶体管放大器，稳定系数用 S＝δIc／δIc0来描述。一般要求在5—15之间。 2.低噪声前置放大器的设计 （2）从Fmin出发选择最佳的源电阻Rso. A 首先考虑噪声、稳定性，以确保放大信号时，引入噪声小和漂移小。 B 满足增益、带宽要求。若能采用阻抗匹配，输入、输出阻抗可放在第二位考虑。 C 经济指标。 (1)低噪声放大器应该尽可能选用 小的器件,这样才能使最小噪声系数Fmin较小。另外，由于 都是频率f的函数，因此各种低噪声器件只是在一定的频率范围内才能达到其最小噪声系数； 放大器的等效输入噪声与信号源内阻的关系 最佳源电阻与噪声匹配 阻抗匹配 ① 器件的选择 MOS场效应管 根据信号源大小选用合适类型的器件，使器件的最佳源电阻等于负载电阻，实现噪声匹配下的最小噪声系数。 半导体三极管 集成运算放大器 结型场效应管 金属氧化物(MOS)场效应管 ② 阻抗匹配网络 由于Rs ≠Rso，可用阻抗匹配网络来改变等效输入阻抗。 1. 变压器匹配 ? 例：信号源输出电阻Rs=10欧，工作频率f=1KHz。前置放大器OP07。求匹配变压器的圈数比和信噪改善比SNIR的提高倍数K。( ) OP07在f=1KHz时，等效输入噪声平方根谱密度为 实际变压器的误差： 线圈圈数有限，磁蕊磁导率不会无限大，因此其电感为有限值； 有漏磁，因此耦合系数不到1； 变压器匹配的限制： 必须是频率较高的交流信号。 变压器匹配的限制 ③ 有源器件并联法 1－5 抑止干扰和噪声的外部方法 环境干扰噪声 1. 电力线噪声：尖峰脉冲，工频干扰50Hz，电网波动 2.电气设备噪声：辉光放电，火花放电（插座） 3. 射频噪声手机，广播、电视 4. 地电位差噪声