半导体物理与器件__教学_作者_裴素华_第5章_半导体器件研究.pptVIP

第五章 半导体器件制备技术 5.1 晶体生长和外延5.1.1 晶体基本生长技术 Si的制备过程一般为: SiC（固体）+ SiO2（固体）→Si（固体）+SiO（气体）+CO（气体） Si（固体）+3HCl（气体）→SiHCl3（气体）+H2（气体） SiHCl3（气体）+H2（气体）→Si（固体）+3HCl（气体） 5.1.2 晶体外延生长技术 外延是一种采取化学反应法进行晶体生长的另一种技术。在一定条件下，以衬底晶片作为晶体籽晶，让原子（如硅原子）有规则地排列在单晶衬底上，形成一层具有一定导电类型、电阻率、厚度及完整晶格结构的单晶层，由于这个新的单晶层是在原来衬底晶面向外延伸的结果，所以称其为外延生长，这个新生长的单晶层叫外延层。最常见的外延生长技术为化学气相淀积（CVD）和分子束外延生长（MBE）。 外延生长的基本原理 硅的CVD外延 化学气相淀积是指通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。 分子束外延 分子束外延（MBE）是在超高真空条件下一个或多个热原子或热分子束蒸发到衬底表面上形成外延层的方法 。 5.2 硅的热氧化5.2.1 SiO2的结构、性质与作用 SiO2的结构和物理性质 二氧化硅从结构上可分为结晶型和非结晶型二氧化硅两种 SiO2的化学性质 室温下二氧化硅只与氢氟酸反应 SiO2+6HF→H2（SiF6）+2H