半导体中的光吸收和光探测器研究.pptVIP

PIN光探测器的结构和原理图 I层很厚，吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子—空穴对，因而大幅度提高了光电转换效率。两侧P+层和N+层很薄，吸收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽层， 因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。另外，可通过控制耗尽层的宽度W，来改变器件的响应速度。 光电二极管输出电流I和反偏压U的关系示于下图。 随着反向偏压的增加，开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压UB。APD就是根据这种特性设计的器件。 三、雪崩光电二极管(APD) 根据光电效应，当光入射到PN结时， 光子被吸收而产生电子—空穴对。如果电压增加到使电场达到200kV/cm以上，初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶格原子相碰撞， 使晶格原子电离，产生新的电子—空穴对。新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增，所以这种器件就称为雪崩光电二极管(APD)。 APD载流子雪崩式倍增示意图 APD的结构有多种类型，如下图示出的N+PΠP+结构被称为拉通型APD。在这种类型的结构中，当偏压加大到一定值后，耗尽层拉通到Π(P)层，一直抵达P+接触层