测试技术——扫描电子显微镜研究.ppt

2006-11-30 SEM(EDS,EBSD) Scanning Electron Microscopy (FEI SIRION FEG SEM) 电子显微镜 定义 用聚的很细的电子束照射被检测的试样表面，由于电子束与样品的相互作用，产生各种电子或X射线、光子等信息，然后将这些信息通过不同方式的收集与处理，显示出试样的各种特性（形貌、微结构、成分、晶面等） SEM 中的几种信号 Secondary electrons –topography(SE)（5-10nm） Back scatter electrons- topography(a-b) (100nm-1μm) - compositional(a+b)(BSE) -crystal structure(EBSD) X-rays -chemistry(EDS) (500nm-5μm) advantage 有较高的放大倍数，20-100万倍之间连续可调； 有很大的景深，视野大，成像富有立体感，可直接观察各种试样凹凸不平表面的细微结构； 有较高的分辨率(1.5nm)； 试样制备简单。 SEM的结构 主要构成部分： 电子枪 聚光镜与物镜 偏转系统—扫描系统 信号探测系统 电子枪 （1）热发射型电子枪 利用高温使电子具有足够的能量去克服电子枪材料的功函数(work function)能障逃离后经加速管加速形成 . 直热式：针尖式钨灯丝 发夹式钨灯丝 旁热式：六硼化镧灯丝 （2）场发射型电子枪 利用靠近曲率半径很小的阴极尖端附近的强电场使阴极尖端发射电子。 热场发射电子枪(萧特基发射式 Schottky emission ) 冷场发射电子枪 热发射型电子枪示意图 场发射电子枪示意图 K 阴极(发射体)； G 虚光源； E 抽取电极 （第一阳极）； A 加速电极 （ 第二阳极） 信号探测器 SE TLD (Through the Lens Detector) (SEFG only) HR mode UHR mode SE mode BSE mode BSE CCD EDS 信号探测器 SEM mechanism SFEG HR-mode Field free objective lens for low mag. Search FOV 2.6mm at WD 22mm SFEG UHR-mode Super high strength objective lens field FOV 20 um WD 5mm SFEG EDS-mode For EDS analysis Beam voltage 0.5-30 KV at 5mm WD Lower part of column with all three lenses HR-mode: internal lens UHR-mode: intermediate and external lens EDS- external lens * * Flash once a day 5 E-11mBar 7000Hr 3000 Cold FEG 5 E –9mBar (-2 IGP’s) 7000Hr 3000 Schottky ZrO on W Drift 2 E-7mBar (- 1 IGP) 2000Hr 40 LaB6 Cleaning of Wehnelt 1.3 E-4mBar 40hr 8 Tungsten Maintenance Pressure Life time Brightness (Candela) Specimen Objective Lens Objective Lens Specimen Objective Lens Specimen Intermediate Lens Internal Lens External Lens