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浙大微电子 （共68页） 显影过程中，感光和未感光光刻胶在显影液中均不同程度的被溶解，只是溶解速率差别不同，溶解速率差别越大越好：必须曝光适当并选择合适显影液；为避免光刻胶长时间存放发生其他副反应，曝光后应尽快进行显影。 6）显影 6）显影方法 最早的显影方式是将一盒硅片浸没于显影液中——缺点？目前常用显影方法主要有两种：连续喷雾式和旋覆浸没式显影 热量问题 硅片边缘溶蚀 设备复杂 6）显影方法-旋覆浸没式 7）坚膜 显影后的热烘焙称为坚膜，由于显影液对光刻胶膜的影响，胶膜在显影后易软化、膨胀，导致粘附力下降，坚膜过程可以改善胶膜粘附力、去除剩余溶剂和水，保证胶膜达到一定硬度等。 桂林电子科技大学职业技术学院 第五章 光刻 离子注入回顾 光刻的概念 光刻是处于硅片加工过程中心的工艺技术，光刻成本约占整个硅片加工成本的三分之一；类似于传统照相过程，通过曝光和选择性腐蚀等工序，将掩膜版上设计好的电路图形转移到硅圆片上。 光刻工艺 光刻的本质是把所需图形复制到待刻蚀晶圆片，电路图形首先被制作在被称作光刻掩膜版的石英膜版上，然后将图形精确、重复转印至涂有光刻胶的待腐蚀层上。利用光刻胶的选择性保护作用，对需腐蚀图形进行选择性化学腐蚀，在表面形成与光刻模板图形相同（或相反）的图形。 光刻工艺的概念 光刻工艺要求 完整光刻工艺包括光刻和刻蚀两部分，但随微细加工工艺进一步细分，刻蚀成了另外一道工序。集成电路集成度不断提高对光刻技术要求越来越高，主要体现在： 高灵敏度—曝光时间：感光速度 套刻对准精度—重复性 高分辨率—光刻精度与清晰度 大尺寸硅片—热变形 低缺陷率—可靠性 光刻三要素 光刻所需要三要素为：光刻胶、掩膜版和光刻设备 类比：胶卷、镜头和成像系统 光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂（感光剂）、光敏化合物（增感剂）和有机溶剂组成，各部分的作用？ 光刻胶技术参数 分辨率：区别硅片表面相邻图形特征的能力，用关键尺寸（CD）来衡量—CD越小，分辨率越高； 对比度：从曝光区到非曝光区过渡段的陡度，陡度越大对比度越好，分辨率越高； 敏感度：光刻胶产生结构变化所需一定波长的光具有的最小能量； 抗蚀性与粘附性：经后续刻蚀、离子注入等工艺冲击的稳定性和图形保持性； 光刻胶感光原理 作用机理：光刻胶受特定波长光线照射后，自身发生化学反应，导致结构产生变化，进而引起溶解特性的改变。光刻胶按溶解特性变化可分为正性胶和负性胶。 感光原理： 正性胶—曝光前不可溶而曝光后可溶 负性胶—曝光前可溶而曝光后不可溶 不同光刻胶具有不同分辨率和感光灵敏度等，通常正胶分辨率好于负胶，负胶出现早于正胶。 正性光刻 正性光刻工艺中，复制到硅片表面的图形与掩膜版上的图形一致，曝光后的正性光刻胶区域在显影液中被溶解去除。 负性光刻 负性光刻工艺中，复制到硅片表面的图形与掩膜版上的图形相反，未曝光的负性光刻胶区域在显影液中被溶解去除。 正性胶与负性胶光刻效果对比 掩膜版与光刻胶 转移到光刻胶上的图形应依据光刻胶种类选择合适掩膜版。 光刻基本工艺步骤 1）气相成底膜-硅片清洗 硅片表面质量对提高光刻成品率非常关键，光刻前要进行硅片平整度和洁净度检查、清洗脱水（去除玷污和杂质颗粒等）和表面成膜处理，目的是保证硅片的良好平面度、洁净度、增强硅片与光刻胶之间的粘附性。 硅片表面玷污易造成光刻胶与硅片粘附性差，应尽量缩短前步氧化（或淀积）处理与涂胶间的间隔时间。 气相成底膜-脱水烘焙 硅片容易吸附潮气在表面从而影响光刻胶的粘附性，增强粘附性可通过高温烘焙和添加增粘剂两种方式实现。 脱水烘焙即在硅片成底膜前对其表面进行脱水干燥处理。 典型的脱水烘焙在充满惰性气体的烘箱或热板上进行，脱水烘焙温度一般为200-250℃，最高不能超过400℃，热烘后需要进行快速冷却。 目前多采用两种方法相结合实现气相成底膜工艺，清洗后脱水干烘，然后采用六甲基二硅胺烷（HMDS）进行成膜处理。 另一种方法为涂覆增粘剂：旋转涂布法和蒸汽涂布法。 气相成底膜-增粘处理 2）旋转涂胶 涂胶是将光刻胶溶液均匀涂在硅片表面的过程。分为滴涂法和自动喷涂法两种。其中，前者涂布效果好，后者则适用于企业的大规模生产。 旋转涂胶步骤 分滴 铺开 甩胶 溶剂挥发 工艺控制要点 工艺要点： 1、硅片置于真空吸盘； 2、每次滴胶约5ml； 3、先慢后快实现均匀涂布； 4、质量指标： 时间、湿度、速度、厚度均匀性、颗粒和缺陷控制等。 Edge Back Removal 3）软烘（前烘） 软烘可使光刻胶中溶剂进一步挥发、缓和旋转涂布过程中胶膜内