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第3章 存储器 作业 名词解释： 存储器、存储元、存储单元、存储器地址、存储周期、存取时间、存储器传输率 列举实例说明下列存储器的存取方法 顺序存储、直接存储、随即存储、关联存储 比较RAM的性能，填写下表。 RAM类型 存取速度 集成度（位数/片） 功耗/位 成本 易失性 双极型 SRAM DRAM 试说明半导体ROM的分类，并进行性能比较。 比较EPROM 、Flash 、EEOROM擦除策略的异同。 试说明存储系统是如何满足计算机系统对存储器高速度、大容量、低成本的要求的。 请用4K×4bit的SRAM芯片，组成一个8K×8bit的存储器。画出该存储器与CPU连接的示意图。 请用2K×8bit的SRAM芯片构成4K×16bit的存储器。要求： 画出RAM和CPU连接的示意图。 分析存储器的构成，写出每一部分可访问空间的地址范围（用16进制表示）。 DRAM为什么要进行刷新？请说明DRAM的刷新原理。若用Intel2116（16K×1bit）芯片构成64K×8bit的存储器，总共需要多少Intel2116芯片？若芯片内部存储元排成128×128的矩阵，芯片刷新周期为2ms，采用异步刷新，问存储器刷新信号周期是多少？ 现有存储器SRAM、DRAM、Cache、寄存器、磁盘、磁带、光盘，请在图中按要求填入适当的存储器名称。 设有若干片256K×8位的SRAM芯片，问： 采用字扩展方法构成2048KB的存储器，需要多少片SRAM芯片？该存储器需要多少字节地址位？ 画出该存储器与CPU连接的结构图，设CPU的接口信号有地址信号、数据信号、控制信号MREQ#和R/W#。 写出译码器逻辑表达式。 试说明半导体存储器差错产生的原因。 收发双方用纠一位错的海明码进行差错检测，若发送方欲发送信息：1101001，请问传输序列是什么？ A B C D E F G 小 大 快 慢