第2章门电路分解.pptxVIP

《数字电路与逻辑设计》电子课件 范文兵 iewbfan@zzu.edu.cn 2017年4月8日 第二章 门电路 2.1 概述 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 …… 门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0 正逻辑和负逻辑： 在逻辑电路中存在两种逻辑状态，分别用二值逻辑的1和0来表示。如果以输出的高电平表示逻辑1，以输出低电平表示逻辑0，则这种逻辑制称为正逻辑。反之，若以逻辑1代表低电平，而以逻辑0代表高电平，则称为负逻辑。 2.2 半导体开关特性 2.2.1 半导体二极管的开关特性 2.2.2 半导体三极管的开关特性 二极管的开关特性： vI=VIH, D截止，vO=VOH=VCC vI=VIL, D导通，vO=VOL=0.7V 高电平：VIH=VCC 低电平：VIL=0 二极管的动态特性： 2.2.2 半导体三极管的开关特性（Transistor） 一、三极管的开关特性 截止工作状态 放大工作状态 饱和工作状态 动态开关特性 主要开关参数 ① 饱和压降 ② 开启延迟时间 ③ 关闭延迟时间 二、MOS管的开关特性 1、MOS管的结构 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 金属层 氧化物层 半导体层 PN结 2、静态开关特性 截止区 可变电阻区 恒流区 3、MOS管的动态开关特性 4、主要开关参数 ① 导通电阻：MOS管导通时，且 为固定值条件下，漏极电压的变化量与漏极电流变化量之间的比值，即 ② 截止电阻：MOS管截止时，漏极和源极之间的电阻值，大小约为 ③ 跨导 ：在 一定的条件下，漏极电流变化与栅源极电压变化之比，它表示栅源电压对漏极电流的控制能力 ④ 开启电压 和夹断电压 ：对于N沟道增强型MOS管 为正值，P沟道增强型 为负值；对于N沟道耗尽型MOS 管为负值，P沟道耗尽型 为正值。 5、MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 大量正离子 导电沟道 2.3 最简单的与、或、非门电路 二极管与门 设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V A B Y 0V 0V 0.7V 0V 3V 0.7V 3V 0V 0.7V 3V 3V 3.7V A B Y 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 规定3V以上为1 0.7V以下为0 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路 2.3.2 三极管非门（反相器） 三极管的基本开关电路就是非门 实际应用中，为保证 vI=VIL时T可靠截止，常在 输入接入负压 参数合理？ vI=VIL时，T截止，vO=VOH vI=VIH时，T截止，vO=VOL 输入信号悬空时： 2.3.3 二极管-三极管与非、或非门 2.4 TTL门电路（Transistor-Transistor Logic） 2.4.1 TTL与非门电路结构和工作原理 一、电路结构 二、工作原理 1．当输入中有一个为低电平时，这时对应的发射极必然导通，并在深度饱和状态。T2和T5管截止。T4导通，T5截止，输出为高电平。 2．当输入全为高电平时，此时假设T1导通，则T1的基极电压钳位在2.1V。这样T1管的所有发射结均反偏，相当于把原来的集电极作为发射极使用，原来的发射极作为集电极使用，也就是说T1管工作在倒置状态。T2导通使导致T4截止，T5导通，输出变为低电平。 2.4.2 TTL与非门的外部特性及参数一、静态输入特性和输出特性 1．输入特性 ① 输入低电平电流 ② 输入高电平电流 0.7V 1.4V T2开始导通，但T1管集