第06章PN结--2015.12.1414.36.20总结.pptVIP

第06章 PN结 2. 扩散电容 P 电子扩散区 结区 空穴扩散区 N xp’ xp xn xn’ + _ 正偏 V ?, 势垒宽度? 扩散区内, 注入进来的空穴和电子数目增加 正偏 V ?, 势垒宽度? 扩散区内, 注入进来的空穴和电子数目减少 第06章 PN结 正偏时，由于少子的注入，在扩散区内, 都有 一定的数量的少子的积累，且其浓度随正向 偏压的变化而变化，形成了扩散电容。 也称电荷存储电容（charge storage capacitance） 第06章 PN结 突变结和线性缓变结的 CT 与 V 有关 制成变容器件 测量结附近的杂质浓度和杂质浓度梯度 第06章 PN结 击穿的定义 当pn 结的反偏电压达到某一值VB时，反向电流突然迅 速增大的现象称为pn 结的击穿。对应的电压称为击穿电压。 §6.4 pn 结的击穿 第06章 PN结 pn 结的击穿机理 到目前为止，pn 结的击穿机理共有三种： 雪崩击穿（与电场强度和势垒区宽度有关） 隧道击穿（齐纳击穿） 热电击穿（反向饱和电流随温度的升高而迅速增大） 第06章 PN结 雪崩击穿 当反偏电压足够大时，进入势垒区的电子和空穴在强电场下获得很大的动能，与基质原子相碰撞从而引起了碰撞电离效应。当碰撞电离效应非常显著时，使势垒区内载流子浓度急剧倍增，形成非常大的反向电流，从而发生了雪崩穿。 2 1 2 2 1 2 p n + 雪崩击穿一般发生在缓变结中，而且掺杂浓度比较低。 隧道击穿（齐纳击穿） 当反向电压Vr升高时，势垒的倾斜升高。如果p区的价带顶高于n区的导带底时，由于量子效应，p区的电子可以直接穿过禁带到达n区。当Vr→VB时，反向电流很大，从而发生了隧道击穿。 第06章 PN结 两种击穿机理的主要区别 隧道击穿主要取决于空间电荷区中最大电场强度；而雪崩击 穿除要求一定的电场外，还需要一定宽度的空间电荷区。 隧道击穿电压随温度的升高而减小；而雪崩击穿电压随温度 的升高而增加。 空间电荷区中光注入的电子（或空穴）影响雪崩击穿，但对 隧道击穿无明显作用。 一般情况下，击穿电压VB4Eg/q时是隧道击穿；而VB6Eg/q 时是雪崩击穿；VB介于两者之间时是两种机理共同起作用。 杂质浓度低，反向偏压大，势垒宽度增加，雪崩击穿为主； 杂质浓度高，隧道击穿为主。 第06章 PN结 热电击穿：由于pn 结的热不稳定性而引起的击穿。 由于反向电压Vr的存在，会在pn 结中产生一个反向饱 和电流Js；而反向饱和电流密度Js随温度按指数规律上升； 随着pn 结的温度的升高，反向饱和电流密度Js也迅速上升， 进而产生更大的热能，如此反复循环下去，最后使反向饱和 电流Js无限增长而发生了击穿。 热击穿容易发生的条件是Eg小，散热不好的器件。 第06章 PN结 §6.5 pn 结的隧道效应 特 点： 两边都是重掺杂的pn结，又称为隧道结； 隧道结势垒高度大，但势垒区宽度小； 隧道过程开始的一边要有被电子占据的量子态， 隧道过程终止的一端要有能量 与之相同而未被占据的量子态； 正向电流由扩散电流和隧道电 流两部分构成。 第06章 PN结 隧道结的电流电压特性 热平衡时的隧道结 施加很小的正向电压 ① 第06章 PN结 正向电压逐渐增大 继续增大正向电压 ① ② ① ② ③ 第06章 PN结 当正向电压增大到V=Vv时 ① ②③ ④ 当施加反向电压时 ① ②③ ④ ⑤ 第06章 PN结 ?隧道结利用多子隧道效应工作 ?隧道二极管的噪声低 ?隧道二极管的工作温度范围大 ?隧道二极管可在极高频率下工作 用处 微波放大、高速开关、激光振荡源等 第06章 PN结 第六章 小结 pn 结的形成、空间电荷区和能带图 pn 结的接触电势差 pn 结的电流电压特性 pn 结的电容效应 pn 结的击穿效应 pn 结的隧道效应 第06章 PN结 第六章习题 P188：1、5、9 * * * 因此 当x=xn，V(x)=VD，所以 p ( xn ) = pn0 当x=-xp，V(x)=0，所以p区非平衡多数载流子浓度Pp0为 同理，可以求得x点处的空穴浓度为 说明：载流子在势垒两边的浓度关系服从玻尔兹曼分布。 可见，在室温附近，尽管pn结中杂质都已完全电离，但载流子浓度比起n区和p区的多数载流子浓度仍小的多，好像已经耗尽了。因此势垒区也称为耗尽层。空间电荷密度就等于电离杂质浓度。 利用上述公式计算300K时势垒区中电势能比n区导带底高0.1eV的 点x处的载流子浓度。假设势垒高度为0.7eV，则