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离子镀技术制备减磨耐磨层及其摩擦磨损机理
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主要内容
离子镀原理
离子镀的分类
离子镀技术制备的减磨耐磨层的摩擦磨损机理
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一、离子镀原理
离子镀膜技术(简称离子镀)是美国Sandia公司的D.M.Mattox于1963年首先提出来的,是在真空蒸发和真空溅射技术基础上发展起来的一种新的镀膜技术。
离子镀的英文全称ion plating,简称IP。它是在真空条件下,应用气体放电实现镀膜,即在真空室中使气体或被蒸发物质电离,在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下,同时将蒸发物或反应产物蒸镀在基片上。
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一、离子镀原理
右图是离子镀技术原理示意图,当真空室抽到10-3~10-4pa后,通入惰性气体使真空度达到1pa~3pa,接通高压偏压电源,在蒸发源和工件之间产生辉光放电,获得的高能惰性气体离子和原子轰击工件表面,将表面吸附的残余气体和污染层溅射下来,形成氩离子的轰击净化作用。
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一、离子镀原理
随后,开启蒸发源形成蒸发材料蒸气,蒸发的粒子进入等离子体区,并与等离子体区的高能电子非弹性碰撞而被部分电离;被电离的蒸发材料离子和惰性气体离子受到工件负偏压的吸引,以较高的能量到达工件,并沉积成膜。
离子镀成膜过程中所需的能量不是靠加热方式获得的,而是由于电离碰撞以及离子被电场加速获得的,其能量比真空蒸发镀时大得多。
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与真空蒸发镀膜相比,离子镀膜层质量具有以下特点:
离子镀膜的膜——基结合力大
膜层组织细密
绕镀性好
结构可控
离子镀技术对工件施加负偏压,虽然赋予离子镀膜层许多优点,但高的负偏压会使膜层粒子所携带的能量过高,对基材的组织、结构产生一定的损伤,而且不适用于低温基材。
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二、离子镀的分类
最早提出的二级型离子镀的金属离化率低,很难进行反应沉积,不容易获得化合物膜层。因此人们开发了多种提高金属离化率的离子镀方法,其目的是提高等离子的密度,提高金属离化率,获得更多的高能金属粒子,使之更容易与反应气体化合,获得化合物膜层。
根据蒸发金属所用的技术和使金属原子电离的措施不同,可对离子镀分为如下8类。
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二、离子镀的分类
名称
气体放电方式
工作偏压/V
蒸发源
金属离化率/%
直流二级型离子镀
辉光放电
1~3
电阻,电子枪
——
热阴极离子镀
辉光放电
0.5~3
电阻,电子枪
1
高频离子镀
辉光放电
0.5~3
高频感应线圈
3~5
集团离子镀离子镀
辉光放电
5~10
高频感应线圈
3~10
活性反应离子镀
辉光放电
0.5~1
高压电子枪
1~5
空心弧阴极离子镀
热弧光放电
0.05~0.2
空心阴极枪
5~15
热丝弧离子镀
热弧光放电
0.1~0.2
热丝弧枪
20~40
阴极电弧离子镀
冷场致弧光放电
0.05~0.2
阴极电弧源
60~90
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2.1直流二级型离子镀
直流二级型离子镀设备由蒸发源、偏压电源、工件架、真空系统、进气系统等组成。
采用电阻加热蒸发源或电子枪蒸发源和工件分别接高压偏压电源的正极和负极,利用工件和蒸发源两极之间的辉光放电产生离子并加速离子向工件运动。
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2.2热阴极离子镀
热阴极离子镀的蒸发源有电阻蒸发源和电子枪蒸发源。
右图为电子枪蒸发源型热阴极离子镀装置的示意图。热阴极离子镀是在普通二级型离子镀膜机的工件和蒸发源之间添置了发射电子的阴极和收集电子的阳极。加热的阴极可发射数百毫安至10A的电子流,电子在阳极的作用下被加速并以一定速度垂直穿过蒸发的粒子流,即在蒸发源和工件之间增加了横向运动的高能热电子流。从蒸发源蒸出来的膜层材料原子,在向基片运动的过程中,被高密度、高能电子碰撞电离,提高了金属的离化率,有利于增强离子镀的效果。
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2.2热阴极离子镀
热阴极离子镀可获得膜层组织细密、膜——基结合力好的膜;但由于膜层粒子总体的能量还不够高,不容易获得化合物涂层。
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2.3高频离子镀
高频离子镀(又称射频离子镀)设备的原理如右图所示,它是在二级型离子镀的蒸发源和工件之间安装一个高频线圈,在离子镀过程中,电子在高频线圈的激励下做震荡运动,延长了电子到达阳极的路径,增加了电子与反应气体及金属蒸气碰撞的概率,提高了辉光放电的电流密度。
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2.4空心弧阴极离子镀
2.4.1空心阴极放电
两个平行板阴极置于真空容器中,当满足气体点燃电压时,这两个阴极都产生辉光放电,在两个阴极前都形成阴极位降区和负辉区。阴极位降区的厚度dk是维持辉光放电不可缺少的区域,阴极位降区厚度dk与负辉区长度之和定义为阴极放电长度d0。
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2.4.1空心阴极放电
当两个阴极距离dk1- dk22d0时,两个阴极位降区互相独立,互不影响,并有两个独立的负辉区,
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