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第8章 半导体材料 半导体技术发展简介 半导体产业的发展导致了电子工业革命 半导体器件的新的设计：半导体异质结、超晶格、量子阱材料，将进一步改变人类的生活方式 1947年12月，美国贝尔实验室的巴丁、布拉顿和肖克莱三人利用半导体材料锗制成第一个晶体管，同获1956年诺贝尔物理学奖。 半导体材料的发展 —薄层外延技术、化合物半导体、微电子技术 1. 首次报道半导体 导电性能介于金属和绝缘体之间;（σ＝10-7～104） 光电导光谱特性的测量，已成为确定半导体禁带宽度的有效方法 8.1.1 基本理论 当大量原子结合成晶体时（如，1019个原子大约可形成1mm3的晶体), 由于相邻原子电子云相互交叠，对应于孤立原子中的每一能级都将分裂成有一定能量宽度的能带。 （一）能带 Energy Band理论 8.1 半导体的能带结构 （1）因为当有N个相同的自由原子时，每个原子内的电子有相同的分立的能级，它们是N重简并的，当这N个原子逐渐靠近时，原来束缚在单原子中的电子，不能在一个能级上存在（违反泡利不相容原则）从而只能分裂成N个非常靠近的能级（10-22ev），因为能量差甚小，可看成能量连续的区域，称为能带。 （2）电子填空能带的情况 a、满带：各能级都被两个自旋相反电子填满的能带 满带 当电子从原来状态转移到另一状态时，另一电子必作相反的转移。没有额外的定向运动。满带中电子不能形成电流。 导带 电子可在外场作用下跃迁到高一级的能级形成电流。故称为导带。 b、导带：能级没有被电子填满的能带 c、空带：各能级都没有被电子填充的能带 d、价带：价电子所处的带称为价带 （3）金属、半导体、绝缘体的能带结构 a、导体：价带是导带或等效导带 导带 满带 满带 空带 满带 空带 重叠 相连 b、绝缘体：只有满带和空带，且禁带宽度较大 满带 空带 例如金刚石中两个碳原子相距15纳米时，Eg=5.33eV。 c、半导体：价带是满带，但是禁带宽度较小 例如硅?Eg=1.12eV，锗?Eg=0.66eV， 砷化镓?Eg=1.43eV。 当半导体价带中的电子受能量激发后，如果激发能大于ΔEg，电子可以从价带跃迁到导带上自由运动，传导电子的负电荷。同时在价带中留下一个空的能级位置--空穴,在价带中空穴可按电子运动相反的方向运动而传导正电荷。因此，半导体的导电来源于电子和空穴的运动，电子和空穴都是半导体中导电的载流子。 (二)、半导体的导电机理 8.2 半导体材料的分类 按其功能及应用： 微电子材料、光电半导体材料、热电半导体材料、微波半导体材料、敏感半导体材料等； 按材料种类：无机半导体、有机半导体； 按化学组成：元素半导体、化合物半导体； 按结构：晶态和非晶态半导体 8.2.1 元素半导体材料 硅在整个半导体材料占绝对优势。目前，90％以上的半导体器件和电路都是用Si来制作的。 硅材料的发展趋势： （1）提高硅的纯度,杂质含量＜10-9； （2）单晶硅的直径越做越大； （3）发展多晶硅。 元素半导体材料分为本征半导体和杂质半导体 （1）本征半导体 非常纯且缺陷极少的半导体称为本征半导体。本征半导体中导电的电子—空穴对是由热激活导致其共价键破裂而产生的。 本征半导体的导电能力与载流子密度和温度有关。 实践中利用半导体对温度的敏感性而制作出热敏感电阻。 二、本征半导体与杂质半导体 1、本征半导体：不含杂质的纯净半导体，很少实际应用 导电机制： （本征导电） 在半导体中，可通过引入杂质产生载流子。掺入杂质后所产生的额外能级处于禁带中间，并对实际半导体的性能起决定性作用。 根据对导电性的影响，杂质态可分为施主杂质和受主杂质，相应地两者所产生的额外能级分别为施主能级和受主能级，并最终引出两种杂质半导体，即n型半导体和P型半导体。 （2）杂质半导体 n型：本征半导体中掺入微量高一价的元素杂质原子，多余电子导电 例在四价锗（Ge）元素半导体中掺入五价砷（AS）所形成的半导体 掺入AS以后，五个价电 子中，有四个电子与周 围的Ge组成共价键晶体 ，还多余一个电子，此 电子成为自由电子 p型：本征半导体中掺入微量少一价电子的元素杂质原子，空穴导电 例在四价锗（Ge）元素半导体中掺入三价硼（B）所形成的半导体 掺入B以后，B是三价， 与周围的Ge组成共价键 晶体，还缺少一个电子， 从而形成一个空穴，形 成空穴导电。 n型半导体与p型半导体的能带模型 n型半导体:如Si、Ge中加入P、Sb、Bi、As等 P型半导体: 如Si、Ge中加入B、Al、In、Ga等 一般杂质半导体中掺杂杂质的浓度很低，如十亿分之一就可达到目的。 p-n结是构成各种半导体器件的基础，其最重要的特性是单向导电性。在