CCD,非晶硅,非晶硒,cmos研讨.pptx

就其内部结构可分为CCD，非晶硅，非晶硒  CMOS影像传感器的优点之一是电源消耗量比CCD低，CCD为提供优异的影像品质，付出代价即是较高的电源消耗量，为使电荷传输顺畅，噪声降低，需由高压差改善传输效果。但CMOS影像传感器将每一画素的电荷转换成电压，读取前便将其放大，利用3.3V的电源即可驱动，电源消耗量比CCD低。CMOS影像传感器的另一优点，是与周边电路的整合性高，可将ADC与讯号处理器整合在一起，使体积大幅缩小，例如，CMOS影像传感器只需一组电源，CCD却需三或四组电源，由于ADC与讯号处理器的制程与CCD不同，要缩小CCD套件的体积很困难。但目前CMOS影像传感器首要解决的问题就是降低噪声的产生，未来CMOS影像传感器是否可以改变长久以来被CCD压抑的宿命，往后技术的发展是重要关键。 CCD像原理　　CCD（Charge Coupled Device）文名字叫电荷耦合器种特殊半导体材料由量独立光敏元件组些光敏元件通按矩阵排列光线透镜照射CCD并转换电荷每元件电荷量取决于所受光照强度按快门CCD各元件信息传送模/数转换器模拟电信号经模/数转换器处理变数字信号数字信号定格式压缩存入缓存内张数码照片诞图像数据根据同需要数字信号视频信号式输　　CMOS工作　　CMOS即互补金属氧化物半导体微处理器、闪存ASIC（特定用途集电路）半导体技术占绝重要位CMOSCCD都用受光线变化半导体CMOS主要利用硅锗两种元素所做半导体通CMOS带负电带电晶体管实现基本功能两互补效应所产电流即处理芯片记录解读影像 CCDCCD通过X光和可见光的转换再由电子器件采集，填充效率可高达100%，X光的有效利用率高 CCD 探测器具有辐射防护保护措施，可以避免长期X光辐射造成元器件的致命损伤 所有的图像信息的采集最终由信噪比决定,即信噪比越高越好。Signal/Noise＝10/7对温度要求不大， 范围为： －40－55度对运输要求不高，结构一般具有精密器件保护和抗震动性能采购成本和维护成本都很低采用精密部件结合结构，各种功能单元均可单独拆卸维修，可大幅度降低维修费用 平板靠TFT来采集X光产生的电子，在X光照射时，FPD系统会降低X光的采集率来降低射线对电子元器件的伤害从而延长使用时间，这样就降低了X光的填充效率，只有50－64％在长期辐射下，会对电子器件造成不可逆转的腐蚀效应损伤，对图像也会形成坏点，2-3年需要更换，维护成本高性噪比Signal/Noise＝1100/1500对温度有严格要求，低于+10℃和超出35温度范围时极易使FPD结晶，造成成像区域不可修复的坏点，温超越大，坏点形成越快。对运输要求很严格，需要严密的包装和稳定的运输环境采购成本和后期维护成本都很高如有损坏，只能整块探测器更换，维修极其不便，费用极其昂贵 图像的真实性主要来自于信息还原程度，事实上2009年已有成像质量与非晶硅DR一致的CCD DR面世，图像真实性已经不是问题，同时成像剂量相比以往大幅度下降，拍摄腰椎侧位常规剂量为85KV、30mas，比很多平板DR的剂量都低，因此在临床使用上已经没有什么区别。但是CCD DR厂家目前面临最大的困难就是成本问题，要想获得与碘化铯非晶硅平板DR一样的图像质量就要采用材料成本高出很多的更好的光学镜头和CCD