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三星系列芯片引脚图
三星系列芯片引脚图 :D 三星系列手机在国内的销量很大，拥有众多的用户，所以其元件代换在维修界是一个热点话题，现将三星系列手机的字库引脚图整理如下，希望能对各位同仁有所帮助！ 三星系列手机的字库均采用日本夏普公司所生产的LRS系列CCSP存储器，该系列存储器是将一定容量的SRAM堆叠封装在FLASH上，从而大大的缩小了存储器的封装体积，目前，这种存储器已经成为了手机中存储器的主流封装形式。 一、A100/A188/A110/A300/A388/A308/A400/A408/N100/N188/N200/N288/N300/N400/N500/R208/R210/R220的字库：LRS1341,LRS1342,LRS1370,LRS1337L,LRS1337D,LRS1337 二T200/T208/S100/S108/S200/S208/S105/S300/S308的字库：LRS1395 三、N600/N608/N620/N628的字库：LRS1383 四、T100/T108/T108+的字库：LRS1387，LRS1806 五、引脚说明（以LRS1395为例）： 引脚标识前面标有F的表示该引脚是FLASH专用引脚，标有S的表示该引脚是SRAM专用引脚，未特别标明的表示该引脚为FLASH和SRAM公用。若引脚标识上面划有一短线则表明该引脚为低电平有效。 1。地址总线：A0 to A16，A18，A19公用；F-A17，F-A20，F-A21为FLASH专用地址线；S-A17，SRAM专用地址线。LRS1395的容量为：4M*16*2＝128M FLASH；1M*16＝16M SRAM 2。数据总线：DQ0 to DQ15共16根数据线，FLASH与SRAM公用 3。控制总线： F1,2-CE：FLASH片使能（片选）信号，低电平有效 S-CE1：SRAM片使能（片选）信号，低电平有效 S-CE2：SRAM片使能（片选）信号，高电平有效 F-OE：FLASH输出使能（读）信号，低电平有效 S-OE：SRAM输出使能（读）信号，低电平有效 F-WE：FLASH写入使能（写）信号，低电平有效 S-WE：SRAM写入使能（写）信号，低电平有效 S-LB：SRAM低位字节使能信号，低电平有效，选择DQ0～DQ7 S-UB：SRAM高位字节使能信号，低电平有效，选择DQ8～DQ15 F-RST：FLASH复位（电源关闭）信号，低电平有效。低电平时，FLASH进入掉电状态；高电平时，进入正常的读写状态。 F-WP：FLASH写保护信号，低电平有效。低电平时，FLASH的锁定块不能进行解除锁定或读写，而只能读写非锁定块；高电平时屏蔽锁定功能。 F-RY/BY：FLASH状态输出脚，高电平时，FLASH处于准备好的状态，可进行读写操作；低电平时，FLASH处于忙状态，FLASH的数据线呈高阻状态，不能读写数据。 4。供电线： F-VCC：FLASH工作电源 S-VCC：SRAM工作电源 F-VPP：FLASH监视电源 GND：接地 5。其他： NC：空脚 T1 ～ T4：测试引脚，使用时应悬空
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