微电子学综合实验指导书(实验1)研讨.docVIP

实验指导书 实验名称：实验一、半导体霍尔效应 学时安排： 4学时 实验类别：验证性 实验要求： 必做 一、实验目的 理解霍尔效应的物理意义； 了解霍尔元件的实际应用； 将一块宽为2a，厚为d，长为b的半导体样品，在X方向通以均匀电流IX，Z方向上加有均匀的磁场Bz时（见图1所示），则在Y方向上使产生一个电势差，这个电势差为霍尔电势差，用UH表示，这种现象就称为霍尔效应。 图 1与霍尔电势对应的电场，叫做霍尔电场，用EY表示，其大小与电流密度JX和所加磁场强度Bz成正比，可以定义如下形式： EY = RH·BZ·JX （1） 上式中，RH为比例系数，称为霍尔系数。 霍尔效应的物理意义可做如下解释：半导体中的电流是载流子（电子或空穴）的定向动动引起的，一人以速度υx运动的载流子，将受到沦仑兹力fB = e υx BZ的作用，使载流子沿虚