数字集成电路第7章研讨.ppt

反相器MOS PMOS最找进入市场,工艺简单,成本低 NMOS优于PMOS,速度高,μ 反向器是数字集成电路电路最基本的单元 反相器、倒相器、非门是一回事 MOS倒相器可分为 电阻负载型 增强型MOS管负载型 耗尽型MOS管负载型 负载管为PMOS管时的是称为CMOS倒相器 反相器MOS 耗尽型：栅源电压为零，导电沟道存在，只要加一定的漏源电压，就产生漏极电流 增强型：栅源电压加到一定程度，才形成沟道，后加漏源电压，就产生漏极电流。 反相器特征 输入为高电平；输出为低电平。 输入为低电平；输出为高电平。 两方面：直流传输特性；瞬态特性 MOS管直流传输特性 MOS管直流传输特性 随着输入电压增加,NMOS管先进饱和,后进入线性区 MOS管直流传输特性 当VinVT时,驱动管截止,漏源之间有微量电流通过,电源电压大部分降到驱动管上了,输出电压Vout=VDS,接近于VDD, 记作VOH 当VinVT时,驱动管导通,并进入饱和 MOS管直流传输特性 Vin继续增大,当Vin-VTVDS时,线性工作区 MOS管直流传输特性 非线性图解,可得如图所示的传输特性曲线 通常把 MOS管直流传输特性 瞬态特性 tf 输出电压从摆幅的90%降到10%的时间 Tr 输出电压从摆幅的10%升到90%的时间 Tpf 输入阶跃处 t1 时刻到输出电压降至50% Tpr 输入阶跃处 t2