数字集成电路第8章研讨.pptVIP

MOS管基本逻辑单元 MOS管基本逻辑单元 MOS管基本逻辑单元 MOS管基本逻辑单元 MOS管基本逻辑单元 NMOS与非门 两个增强型驱动管串接与耗尽型作为负载管串接 现在来计算VOL 设输入电压均为高电平,此时驱动管处于非饱和状态;负载管处于饱和状态,电路中通过晶体管的电流相等 NMOS与非门 NMOS与非门 NMOS与非门 NMOS与非门 NMOS与非门 NMOS与非门输出电容 NMOS与非门 总结 CMOS逻辑结构 负载管用的是PMOS管 规则1:与是NMOS串NMOS 规则2:或是NMOS并NMOS 规则3:或是NMOS支路并支路NMOS 规则4:与是NMOS支路串支路NMOS 规则5:输出为NMOS阵列的逻辑补 规则6:PMOS电路为NMOS电路的对偶电路,当输入的NMOS为串联连接时,则PMOS部分为并联连接;当输入的NMOS为并联连接时,则PMOS部分为串联连接,这种对偶原则也适应任一子块逻辑 伪NMOS逻辑 伪NMOS逻辑是CMOS 变型电路 伪NMOS门的负载管是一栅极接地的PMOS管 特点是普通的NMOS门,用一个等效PMOS器件代替了NMOS负载管 缺点:指定各有比的MOS管的尺寸比;当下拉电路通时,要产生静态功耗;速度低;功耗大. 优点:输入每个变量仅用一个MOS管,最小负载可以是一个单位栅极负载,CMOS至少两个;且PMOS负载没有衬偏调制效应;管