模拟电子电路课件第5章研讨.pptVIP

* 共基（CB）放大器的小结 具有较低的输入电阻 相当高的输出电阻 短路电流增益接近于1 较高的电压增益 开路电压增益是正的 电流跟随器 具有极好的高频性能 BACK * 5.7.6共集电极（CC）放大器或射极跟随器 * 共集电极（CC）放大器混合π模型的分析 * 共集电极（CC）放大器混合π模型的分析 * CC的特性 输入电阻 电压增益 总电压增益 输出电阻 短路电流增益 * 共集电极（CC）放大器或射极跟随器的特性 具有较高的输入电阻 较低的输出电阻 电压增益小于1但接近于1 较好的电流增益 作为多级放大器的最后一级或输出级 较好的幅频响应 BACK * 5.7.7总结和比较 CE 组态最适合用来实现放大器所要求的大增益 CE的发射极包括电阻 RE 可以改善很多性能， 但却是以牺牲增益为代价 CB放大器的低输入电阻使得它只有在特定的应用中有用，经常可以用做高频放大器。 射极跟随器可以用做电压缓冲器，从而把高电阻源连接到低电阻负载，此外还可以用做多级放大器的输出级 BACK 单电源供电的经典BJT偏置方法 两个约束条件： 式(5.71)确保VBE的较小变化将被较大的VBB掩盖 但VBB过高，IE或IC越大，VCE越小， 交流动态范围受限 折中方案 单电源供电的经典BJT偏置方法 两个约束条件： 式(5.72)使得IE对β的变化不明显，可选择较小的RB，即选择较小的R1和R2 较小的R1和R2会降低放大器输入电阻，而VB与β无关，因此使分压器上电流远大于IB即可。通常选择R1、R2以使其电流在(0.1~1)IE范围内 双电源供电的经典偏置设置 只有当信号通过电容耦合到基极时才需要电阻RB 两个约束条件都可使用 5.5.4恒流源的偏置 BACK 直流分析与信号分析的分离 分别分析放大电路的直流通路和交流通路 直流通路：所有电容开路，电感短路，独立的交流电压源短路，独立的交流电流源开路，但保留信号源内阻。 交流通路：隔直流电容和旁路电容短路，扼流圈等大电感开路，独立的直流电压源短路，独立的直流电流源开路，但保留信号源内阻。 直流分析与信号分析的分离 （a）直流通路 （b）交流通路 BACK 5.4晶体管电路的直流分析 直流分析步骤: （1）采用固定的电压压降模型，若EBJ正偏，则假设电压， 不考虑准确的电压值；若EBJ反偏，则认为BJT截止工作。 （2）假设晶体管工作在放大区，可以应用IB、IC和IE的关系来求解VCE或VCB。 （3）检查VCE： 若VCE0.3V，假设成立，管子工作在放大区； 若VCE0.3V，假设不成立，则BJT工作在饱和区，因此要重新假设VCE?=?VCE(sat)?=?0.3V来求IC 例题5.1 假定 , 确定所有节点电压和所有支路电流 回路方程 假设BJT工作在放大区，则 集电极电压为 验证 假设成立。 例题5.1 方法二: (近似估算)，假设BJT工作在放大区若 ，则可认为分压电流远大于基极电流，基极电流的分流忽略不计，即 则 假设成立。 例题5.1 BACK * 混合? 模型 等效电路表示BJT作为电压控制电流源（互导放大器） 等效电路表示BJT作为电流控制电流源（电流放大器） * 交流小信号参数 晶体三极管输入电阻 其中 为从发射极看进去的基极和发射极之间的等效小信号电阻 * 跨导 BACK 定义： 与MOSFET相比，BJT有相对较高的跨导 * 交流小信号参数 晶体三极管跨导 * 描述厄尔利效应的扩充小信号模型 * 小信号模型的应用 首先画出直流电路并计算集电极的电流 IC(ICQ). 计算小信号模型的一些特定的参数例如： gm=IC/VT, r?=?/gm=VT/IB, re=?/gm=VT/IE. 画出交流电路 用小信号模型代替电路中的非线性部分，同时小信号模型的选择应该是使得分析最简单的 确定所要求的交流参数（增益、输入输出电阻） * pnp 晶体管的模型 pnp晶体管的小信号模型与npn的小信号模型是一样的，因为小信号模型不改变偏置条件，小信号模型与极性无关 无论是那种构造，它的模型是唯一的；到底选择哪种进行分析就看哪种更简单 BACK * 5.7.3共发射极放大器 * 5.7.3共发射极放大器 * 5.7.3共发射极放大器 * 共发射极放大器的特性 输入电阻 电压增益 总电压增益 输出电阻 * 共发射极放大器的小结 较大的电压增益. 较大的电流增益. 输入电阻相