模拟电子技术第二章-2研讨.pptVIP

* 各类符号的表示说明：(以集电极电流为例) ICQ ——集电极静态电流 ic ——集电极电流交流分量 iC ——集电极总电流(iC=ICQ+ic) Ic ——集电极电流交流分量有效值 Icm——集电极电流交流分量最大值 * 一、混合π型电路模型 1．忽略寄生效应分析 晶体管在直流大信号时的等效电路 * 图2―25晶体管放大过程分析及电路模型 u ce i b ＋ － ＋ － u be i c (a)共发射极晶体管 uBE=UBEQ+ube，iB=IBQ+ib uCE=UCEQ+uce ，iC=ICQ+ic， 晶体管各极端电压和端电流在信号作用下变为： * 首先分析输入端的等效电路： ＋ － ube r be b e ib * 再分析输出等效电路 ： g m u be ＋ － u ce r ce r bc ＋ － u be r be b c e ( b ) * 求解各参数值： 1、rbe:反映ube对ib的控制作用 其大小为输入特性曲线中Q点切线斜率的倒数 求解方法： * 2、ic =gmube：反映ube对ic的控制作用 * 3、rce:反映uce对ic的控制作用 4、rbc:反映uce对ib的控制作用 * 掌握以下关系式： * c e b r bb′ r cc′ P N ＋ N ＋ N C b′ c C b′ e r ee′ b′ 图2―26平面管结构示意图 b′：基区的理论基极 r bb′通常取值200Ω e′ c′ * gmub’e ＋ － u be ＋ － u ce r ce b c e r bb′ C b′ c rb’e b′ rb’c C b′ e (a)高频时的电路模型 rbe rbc 其中rb’e=(1+β)re，rbe=rbb’+rb’e，rb’c=βrce gmube * (b)低频时的电路模型 图2―27完整的混合π型电路模型 g m u b e ＋ － u be ＋ － u ce r ce b c e r bb′ r b′ e b′ r b′ c ′ * 二、低频H参数电路模型 成立条件：低频、小信号（6mV左右）交流信号。 取iB和uCE为自变量，则有： 线性双端口网络 ＋ － ＋ － uBE uCE iB iC － * 瞬时值 有效值（正弦量） 因为，在Q点处，将输入、输出特性曲线线性化 所以，duBE、 diC等式成立 →ΔuBE 、 Δ iC等式成立 * ＋ － U be ＋ － U ce b c e h ie h oe 1 h fe I b I c I b ＋ － h re U ce 图2―28 共发射极晶体管H参数电路模型 * ——输出交流短路时的输入电阻 在输入特性曲线上，表示在Q点处切线斜率的倒数，即hie=rbe。 图2―29在特性曲线上求H参数的方法 u BE Q I B Q Δ u BE i B ( a ) Δ i B 0 U BE Q u CE ＝ U CE Q * ——输入交流开路时的反向电压传输系数 u BE Q I B Q Δ u BE i B ( b ) 0 u BE 1 u CE1 u CE2 Δ u CE u BE 2 在输入特性曲线上，反映输入特性曲线族的疏密程度。hre↓→曲线愈密 在放大区（如UCE1）随着uCE的增加，uBE几乎不变。因此hre很小，一般认为hre≈0 * 输出交流短路时的电流放大系数 在输出特性曲线上，反映在Q点附近两条输出特性曲线间的间隔。β=hfe * 输入交流开路时的输出电导 在输出特性曲线上，反映为Q点处切线斜率 0 i C u CE ( d ) Q U CE Q I B Q i C 2 i C 1 Δ i C u CE 2 u CE 1 Δ u CE * i C U A 0 U C E Q u C E I C Q Δ u CE Q Δ i C I B Q 图2―30利用厄尔利电压求hoe * Uce ＝ 0 ＋ － U be r ce b c e r bb′ r b′ e b′ r b′ c I b g m U b e ′ I c 图2―31求H参数用的混合π型电路 (a)输出交流短路的混合π型电路 * (b)输入交流开路的混合π型电路 ＋ － U be r ce b c e r bb′ r b′ e b′ r b′ c g m U b e ′ I c I b ＝ 0 ＋ － U ce * 如果忽略r b′c的影响，则： ···1KΩ左右 ···20～200 ···10-5 ···10-3～10-4 * 图2―32 实用的低频H参数电路模型 * 例：设某双极性晶体管的UCEQ=5V，ICQ=0.2mA，β=100，U