模拟电路路 第1章 常用半导体器件研讨.pptxVIP

2017年4月7日星期五 Shandong University 第 1 页 模拟电子技术基础 山东大学物理学院 兰建胜，徐明春 2017年4月7日星期五 Shandong University 第 2 页 第1章 常用半导体器件 §1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管 §1.4 场效应管 2017年4月7日星期五 Shandong University 第 3 页 §1.1 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应 2017年4月7日星期五 Shandong University 第 4 页 一、本征半导体 1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，不容易形成自由电子，导电性很差。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体。 2017年4月7日星期五 Shandong University 第 5 页 2、本征半导体的晶体结构 共价键 由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子(热激发) 自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度增大。 晶格 2017年4月7日星期五 Shandong University 第 6 页 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。 3、本征半导体中的两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度0K时不导电。 注意：空穴的行为本质上是价电子的行为。 4、本征半导体中载流子的浓度 在一定的温度下，本征激发与复合达到动态平衡。理论分析表明，本征半导体载流子的浓度为： K1为半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的常量。EGO为禁带宽度。T=300K 室温下,本征硅的电子和空穴浓度为: n = p =1.43×1010个/cm3；本征锗的电子和空穴浓度为: n = p =2.38×1013个/cm3。 2017年4月7日星期五 Shandong University 第 7 页 2017年4月7日星期五 Shandong University 第 8 页 二、杂质半导体-正负载流子浓度不同 1.N型半导体 磷（P） 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 多数载流子是电子 空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？ 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 2017年4月7日星期五 Shandong University 第 9 页 2.P型半导体 硼（B） 多数载流子是空穴 P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强， 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？ 本征硅的原子浓度:4.96×1022个 /cm3 本征硅的电子和空穴浓度为: n = p =1.4×1010个/cm3 N 型半导体中的自由电子浓度为：n=5×1016 /cm3 2017年4月7日星期五 Shandong University 第 10 页 三、PN结的形成及其单向导电性 物质由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。 P区空穴浓度远高于N区。 N区自由电子浓度远高于P区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，从而产生内电场。 2017年4月7日星期五 Shandong University 第 11 页 PN 结的形成 在电场作用下产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时，达到动态平衡，就形成了PN结。 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。 20