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(2) 截止区 (3) 放大区 (3) 放大区 例题 6. BJT的主要参数 (1) 电流放大系数 共射极连接方式 共基极连接方式 共基极连接方式 (2) 极间反向电流 集电极－基极反向饱和电流ICBO ICBO表示发射极开路，c、b极间外加反向电压时的反向电流。它和单个PN结的反向电流是一样的，大小为?A量级。 集电极－发射极反向饱和电流ICEO ICEO表示基极开路，c、e极间外加反向电压时的集电极电流。大小为?A量级 ICEO从集电区穿过基区流至发射区，所以又叫穿透电流。该电流和单纯的PN结反向电流不同。 集电结反偏，引起反向漂移电流ICBO，相当于集电区对基区注入正电荷，其大小等于ICBO； 发射结正偏，发射区电子扩散到基区，其大小为IE＝ICEO；这些电子中的一部分和来自集电区的 正电荷中和(中和的数目＝ ICBO)，另一部分漂移到集电区。 集电极－发射极反向饱和电流ICEO 集电极－发射极反向饱和电流ICEO (3) 极限参数 极限参数是指为了保证晶体管在放大电路中能正常、安全地工作而不能逾越的参数。 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许功率损耗PCM 反向击穿电压 集电极开路时发射极－基极间的反向击穿电压V(BR)EBO 发射极开路时集电极－基极间的反向击穿电压V(BR)CBO 基极开路时集电极－发射极间的反向击穿电压V(BR)CEO BJT安全工作区示意图 PCM=iCvCE 双曲线 例 题 1 测得某放大电路中一正常工作的BJT三个电极A、B、C的对地电位分别为－9V、－6V、－6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极、哪个是发射极、哪个是集电极，并说明此BJT是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型。(140页，习题3.1.1) C为基极 B为发射极 该BJT为锗管，PNP型 A为集电极 返回 测量三极管三个电极对地电位如下图所示，试判断三极管的工作状态。 VBE=0.7V VCB=4.3V VCE=5V 放大区 VBE=－1V VCB=10V VCE=9V 截止区 VBE=0.7V VCB=-0.4V VCE=0.3V 饱和区 返回 例 题 2 当集电极电流增加时，即IB和IC增加，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于?值下降多少，会随三极管的型号以及生产厂家而有 所差别。 返回 集电极最大允许电流ICM 因发射结正偏，呈低阻，所以三极管功耗主要集中在集电结上。 集电极最大允许功率损耗PCM 返回 集电极电流通过集电结时所产生的功耗： PCM= iCvCB≈iCvCE vCE= vCB +vBE 作 业 140页：3.1.2 141页：3.1.4 主要内容链接 3.1 半导体BJT 1. BJT的结构简介 2. BJT中的电流分配 3. BJT在放大电路中的连接方式 4. BJT的特性曲线 5. BJT输出特性曲线的三个工作区 6. BJT的主要参数 第三章 半导体三极管及放大电路基础 3.1 半导体BJT BJT(Bipolar Junction Transistor)为双极结型晶体管(三极管)，是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件。按照结构可分为NPN 和PNP型。 1. BJT的结构简介 (1) NPN型 发射区比集电区掺杂浓度大，其面积比集电区小。 (2) PNP型 (3) BJT的外形图 2. BJT中的电流分配 (1) BJT内部载流子的传输过程 BJT正常工作的条件：发射结加正向电压(正向偏置)，集电结加反向电压(反向偏置)。 (a) 发射区向基区注入电子 发射结外加正向电压，以扩散电流为主： IE (b) 电子在基区中的扩散与复合 扩散到基区的电子有两个去向： 大部分漂移到集电区 ?? 形成电流ICN 少部分和基区空穴复合 ? 使基区带负电 ?? 被基极所接外加正向电压拉走 ?? 形成电流IB IE ICN IB′ (c) 集电区收集电子 集电结外加反向电压，以漂移电流为主： 基区自身的电子向集电区漂移 集电区的空穴向基区漂移 两者形成反向饱和电流ICBO。 ICBO IC IB BJT中的电流分配关系 (a) 电流控制作用 (2) 电流控制作用及其实现条件 (a) 电流控制作用 (2) 电流控制作用及其实现条件 三个电极电流之间满足一定的比例分配关系，一个电极电流发生改变，另两个电流都会发生变化，因此可实现电流控制和放大作用 (b) BJT实现电流控制和放大的条件 内部