溅射薄膜沉积06研讨.doc

溅射薄膜沉积 ⊙薄膜 在基片上形成的厚度从单原子层到约5μm的物质。 ----特点：具有不同于固体块材的表面效应。 ⊙各种沉积薄膜的技术 ⊙溅射产生背景：辉光放电，异常辉光放电中，放电装置壁沉积导电薄膜。 ⊙定义：荷能粒子轰击固体材料，使材料以原子状态从表面逸出的现象。 荷能粒子：离子、原子或分子（电子？） 表面作用：溅射----唯一? ⊙溅射历史 ●1853年：法拉第气体放电实验，发现沉积现象， 但没有引起重视。 ●1902年：证实膜是正离子轰击阴极的溅射产物 ●1960：Bell实验室溅射沉积IC中Ta膜 ●1965年：IBM采用 rf溅射沉积绝缘膜 ●1969年：三级溅射 ●1974年：平面磁控溅射 ⊙溅射产生条件： 被轰击物质-----任何物质 入射粒子阈能---克服结合力，结合能 ⊙溅射产生过程：入射离子----碰撞靶原子----原子离位----级连碰撞----到达表面----离开表面 溅射阈能：引起靶材原子发生位移的入射粒子的最小能量 入射原子 靶材 He+ Ar+ K+ Xe+ 入射原子 靶材 He+ Ar+ K+ Xe+ Be 12 15 15 15 Mo 24 24 28 27 AI 13 13 15 18 Rh 25 24 25 25 TI 22 20 27 28 Pd 20 20 20 15 V 21 23 25 28 Ag 12 15 15 17 Cr 22 22 18 20 Ta 25 26 30 30 Fe 22 20 25 23 W 35 33 30 30 Co 20 25 22 22 Re 35 35 25 30 Ni 23 21 25 20 Pt 27 25 22 22 Cu 17 17 16 15 Au 20 20 20 18 Ge 23 25 22 18 Th 20 24 25 25 Zr 23 22 18 25 U 20 23 25 22 Nb 27 25 26 32 ⊙溅射阈能特点：与靶材、入射有关。主要决定于靶材。 ⊙溅射产额（溅射率） ---为一个入射离子所溅射出材料原于的数目。 ---影响溅射产额的因素： （1）离子能量 ----能量可分三个区域： 低能区（低于溅射阈能）---没有或很少溅射。 中等能量区（溅射阈能Ei10keV）≥90% 离子：≤10% ⊙溅射原子的能量 关心原因：决定溅射沉积薄膜的性质。 ----能量分布 ----结论： (1)在相同能量相同元素离子的轰击下，溅射原子的平均逸出能随靶材的原子序数增加。 （2）溅射产额低的靶材具有较低的平均逸出能量。 (3) 平均逸出能随入射离子的原子序数增加。 (4) 平均逸出能量随入射离子能量的变化： 小于1keV---平均逸出能量近似随入射离子能量线性增加； 大于1keV---溅射原子的平均逸出能逐渐趋向稳定。 ⊙溅射原子的角向分布   结论：近似余弦分布-----(垂直方向，凹陷--(不满足蒸发溅射模型 出射方向与晶体结构有关，原子排列紧密的方向是逸出粒子的主要方向 ⊙溅射机理 ---热蒸发机制：离子轰击在靶表面产生局部高温--(靶物质原子蒸发。 矛盾：溅射粒子角度分布非余弦性； 溅射率与入射离子质量有关； 溅射率与入射离子角度变化； ---(动量传递模型：入射离子将动能传递给原子。 ⊙各种溅射沉积装置 ---直流二极溅射设备 --位形（图） ---工作区域：异常辉光（？） ---气体：氩气（氦气？） ---气压：l---20Pa。 ---溅射靶：做阴极，加负电压。 ---基片电极：做阳极，接地。可加热。 ---靶与基片之间的距离：大于阴极暗区厚度（依据？） ⊙溅射沉积的功率效率 功率效率= 金属膜：最佳沉积电压区 约600V. 优点： 设备简单 沉积均匀 沉积温度低于蒸发镀 成分控制范围大 可沉积化合物、难熔金属 膜基结合力大于蒸发镀膜 缺点： 基片温度仍然较高（？） 沉积速率低 薄膜致密度低 不能沉积绝缘薄膜、或在绝缘基底上沉积薄膜。 应用：