传感器测位移特性实验hsb.doc

实验四 传感器测位移特性实验 一、实验目的 了解电容式传感器、电涡流传感器结构及其特点和测量位移的工作原理和特性。 二、基本原理 电容式传感器：利用电容C＝εA／d 和其它结构的关系式通过相应的结构和测量电路可以选择ε、A、d 中三个参数中，保持二个参数不变，而只改变其中一个参数，则可以有测谷物干燥度（ε变）、测位移（d 变）和测量液位（A 变）等多种电容传感器。本实验采用的传感器为圆筒式变面积差动结构的电容式位移传感器，如下图所示：它是有二个圆筒和一个圆柱组成的。设圆筒的半径为R；圆柱的半径为r；圆柱的长为x，则电容量为C=ε2πｘ／ln(R／r)。图中C1、C2 是差动连接，当图中的圆柱产生ΔX 位移时，电容量的变化量为ΔC =C1－C2=ε2π2ΔX／ln(R／r)，式中ε2π、ln(R／r)为常数，说明ΔC 与ΔX 位移成正比，配上配套测量电路就能测量位移。 电涡流传感器：通过交变电流的线圈产生交变磁场，当金属体处在交变磁场时，根据电磁感应原理，金属体内产生电流，该电流在金属体内自行闭合，并呈旋涡状，故称为涡流。涡流的大小与金属导体的电阻率、导磁率、厚度、线圈激磁电流频率及线圈与金属体表面的距离ｘ等参数有关。电涡流的产生必然要消耗一部分磁场能量，从而改变激磁线线圈阻抗，涡流传感器就是基于这种涡流效应制成的。电涡流工作在非接触状态(线圈与金属体表面不接触)，当线圈与金属体表面的距离ｘ以外的所有参数一定时可以进行位移测量。 三、需用器件与单元 主机箱、电容传感器、电容传感器实验模板、电涡流传感器实验模板、电涡流传感器、测微头、被测体(铁圆片)。 四、实验步骤 测微头的组成与使用： 测微头组成和读数如图4-1 图4-1 测位头组成与读数 测微头组成： 测微头由不可动部分安装套、轴套和可动部分测杆、微分筒、微调钮组成。 测微头读数与使用：测微头的安装套便于在支架座上固定安装，轴套上的主尺有两排刻度线，标有数字的是整毫米刻线(1ｍｍ／格)，另一排是半毫米刻线(０.５ｍｍ／格)；微分筒前部圆周表面上刻有50 等分的刻线(０.０１ｍｍ／格)。 用手旋转微分筒或微调钮时，测杆就沿轴线方向进退。微分筒每转过1 格，测杆沿轴方向移动微小位移０.０１毫米，这也叫测微头的分度值。 测微头的读数方法是先读轴套主尺上露出的刻度数值，注意半毫米刻线；再读与主尺横线对准微分筒上的数值、可以估读1／10 分度，如图4-1 甲读数为３.６７８ｍｍ，不是３.１７８ｍｍ；遇到微分筒边缘前端与主尺上某条刻线重合时，应看微分筒的示值是否过零，如图4-1 乙已过零则读２.５１４ｍｍ；如图4-1 丙未过零，则不应读为２ｍｍ，读数应为１.９８０ｍｍ。 测微头使用：测微头在实验中是用来产生位移并指示出位移量的工具。一般测微头在使用前，首先转动微分筒到１０ｍｍ处(为了保留测杆轴向前、后位移的余量)，再将测微头轴套上的主尺横线面向自己安装到专用支架座上，移动测微头的安装套(测微头整体移动)使测杆与被测体连接并使被测体处于合适位置(视具体实验而定)时再拧紧支架座上的紧固螺钉。当转动测微头的微分筒时，被测体就会随测杆而位移。 电容式传感器测位移特性实验 1、按图4-2 将电容传感器装于电容传感器实验模板上并按图示意接线(实验模板的输出Vo1 接主机箱电压表的Vin)。 图4-2 电容传感器位移实验安装、接线图 2、将实验模板上的Rw 调节到中间位置(方法：逆时针转到底再顺时传３圈)。 3、将主机箱上的电压表量程(显示选择)开关打到2V 档，合上主机箱电源开关，旋转测微头改变电容传感器的动极板位置使电压表显示0V ，再转动测微头(同一个方向)5 圈，记录此时的测微头读数和电压表显示值为实验起点值。以后，反方向每转动测微头1 圈即△Ｘ=０.５ｍｍ位移读取电压表读数(这样转10 圈读取相应的电压表读数)，将数据填入表4-1。 表4-1 电容传感器位移实验数据 X（mm） 17.220 16.720 16.220 15.720 15.220 14.720 14.220 13.720 13.220 12.720 V (mV) -0.470 -0.348 -0.249 -0.158 -0.068 0.033 0.116 0.202 0.312 0.370 电涡流传感器测位移特性实验 1、观察传感器结构，这是一个平绕线圈。根据图4-3 安装测微头、被测体、电涡流传感器并接线。 图4-3 电涡流传感器安装、按线示意图 2、调节测微头使被测体与传感器端部接触，将电压表显示选择开关切换到20V 档，检查接线无误后开启主机箱电源开关，记下电压表读数，然后每隔0.1mm 读一个数，直到输出几乎不变为止。将数据列入表4-2。实验完毕，关闭电源。 表4-2 电