西安电子科技大学低频电子线路前2章小结研讨.pptVIP

低频电子线路 课堂小结 * * 1. P型、N型半导体 掺入三价元素 — P型 多子 — 空穴 掺入五价元素 — N型 多子 — 电子 第1章　半导体器件 * 2. 晶体二极管 特性 (2) PN结电容 势垒电容、扩散电容 * 2. 晶体二极管 (3) 击穿特性 稳压管 3. 晶体二极管电路 * 3. 晶体三极管 工作原理 (NPN型、PNP型) 基本电流关系: (NPN型管子) * (2) 特性、参数 1) 特性曲线: 输出特性曲线 　 输入特性曲线 2) 参数: ① 特性参数: ② 极限参数: ， 、 3) 温度特性 * 4. FET 分类 (2) 工作原理:电压控制 (3) 特性参数 特性曲线: 转移特性曲线: 耗尽型: 增强型: 输出特性曲线: JFET 耗尽型 IGFET * 2)参数： 耗尽型： 增强型： * * 第2章 放大器基础 放大器的主要性能指标： 数量指标： 等 质量指标： 非线性失真 * 2. 如何正确构成放大电路 1）晶体三极管放大电路 ①发射结正偏，集电结反偏； ②合适的工作状态： Q点（ ） 在放大区，且保证信号动态运用范围不进入饱和区和截止区； * 2）FET放大电路 ①确保FET处于导通（开启）状态； 耗尽型： 增强型： * ②合适的工作状态 Q点（UGSQ、IDQ、UDSQ ）在放大区，且保证信号动态运用范围不进入可变电阻区截止区。 * 3.偏置电路 1）晶体三极管放大器偏置电路 ①分立元件放大器分压式偏置电路 * ②电流源偏置电路 基本电流源、微电流源、比例电流源 电流源电路主要用途：偏置电路；有源负载 * 2）FET放大器偏置电路 ①分立元件放大器偏置电路 耗尽型：自偏压；混合偏置 增强型：固定偏压；混合偏置 * 4.动态分析方法 1）图解法——直观，可以看出工作状态是否合适； ——求出最大不失真输出电压； * 2）微变等效电路法 ——准确，可以求出 晶体三极管： hie=rbe * CS(CS+Rs), CG, CD 和 5.基本单元电路 、 、 CE(CE+Re), CB, CC  的计算 * 三种组态电路的性能分析 1）CE电路；CE+Re电路 * 2）CB电路 * 3）CC电路 当