RTRMBQTEM对比.pptVIP

BQ与AHAI的差别 UN厚度大1um左右 位错密度较大 MQW界面扭曲，多长140nm的FB,SW偏厚 Mg和Al的扩散较深 BQ调整思路 调整BL和un的生长条件，减少位错，控制厚度 FB和SW厚度调整 P层采用R2还是高压P？ 如何解决Al和Mg的扩散问题？ pAlInGaN_In AI:1E20 BQ:5E19 AH:1E19 BQ的Mg扩散严重 Mg扩散点 AI:1E18 AH:2E18 BQ:4E18 Mg浓度最高 最低 AI:4E19 1E19 AH:9E19 3E19 BQ:1E20 3E19 AH_Si达1E19，BQ的LN采用超晶格生长 THMQW和LTP的C含量到1E18 1.38E+20 1.80E+20 1.49E+20 NAl_Al 8.00E+18 8.00E+18 1.00E+19 N_Si 2.00E+18 3.00E+18 4.56E+18 FB_Si 3.00E+19 3.00E+19 3.00E+19 SW_In 3.90E+17 6.66E+17 6.00E+17 DQB_Si 3.00E+20 3.00E+20 3.00E+20 QW_In / 1.25E+20 / LQB_Al 1.39E+20 / 8.27E+19 LTP_Mg 5.00E+19 1.23E+20 1.17E+19 PAlIn_In 1.00E+20 1.52E+20