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1-半导体器件研讨
* * 光电二极管的伏安特性 3、发光二极管 有正向电流流过时,发出一定波长范围的光,目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光,它的电特性与一般二极管类似。 正向偏置时:管压降为0,电阻为0。 反向偏置时:电流为0,电阻为∞。 当iD≥1mA时,二极管的导通压降U D 。硅管 0.7V;锗管 0.3V 1. 理想模型 2. 恒压降模型 返回 五、二极管的等效电路 3. 折线模型(实际模型) 4. 小信号模型 返回 适用于当iD≤1mA时 二极管导通电阻 二极管增量结电阻 例: U=0时,UR的波形? V1 vi t 0 Vm V2 ViV1时,D1导通、D2截止,Vo=V1。 ViV2时,D2导通、D1截止,Vo=V2。 V2ViV1时,D1、D2均截止,Vo=Vi。 例:理想二极管电路中 Ui=Um sinωt V,求输出波形U0。 双向限幅电路 1.判断二极管是导通还是截止? 假设电路中二极管全部开路,分析二极管两端的电位。 a、理想二极管: 若某管阳极电位大于阴极电位,则接上二极管后,该管 导通;反之,二极管截止。 晶体二极管电路简化分析法 简化分析法是将电路中的二极管用简化电路模型代替,利用简化电路直接分析、求解。 b、实际二极管: 若某管阳极电位与阴极电位之差大于导通电压,则该管导 通;反之,二极管截止。 当电路中存在多个二极管时,存在优先导通权,正偏电压 最大的管子优先导通。将优先导通的二极管接入电路中,重新 分析其它二极管的工作状态。 假设管子开路时,所分析出的电位,并不是电路的实际电位。 2、利用上述分析结果,将截止的D开路,导通的D用简化电路模型代替,然后分析求解。 注意 例:首先将二极管D1和D2断开,求两管将承受的电压。对D1管:UB1A=UB1-UA=[0-(-12)]V=12V;对D2管:UB2A=UB2-UA=[(-15)-(-12)]V=-3V。二极管接入后,D1正偏电压大而处优先导通状态, 故UA=- UON=-0.7V。而UB2A=[-15-(-0.7)]V=-14.3V, 所以D1导通,D2截止。 例:二极管电路如图所示,设输入电压vI(t)波形如图所示,在0 t 5ms的时间间隔内,试绘出vO(t)的波形,设二极管是理想的。 解: + — + — 当vI(t)6V,即t3ms时,D截止,vo (t)=6V ; 当vI(t)≥6V,即3ms≤t≤5ms时,D导通,于是 稳压管稳压电路 DZ UZ D R + C RL - Uo 输入电压UI必须大于击穿电压 IR IZ IL 整流滤波电路 当RL一定 设UI UZ IZ (IZ+IL)R 使输入电压增量的绝大部分都降落在电阻R上 Uo变化很小 当UI一定 设RL IL IZ (IZ+IL)R Uo变化很小 UZ S i iD uD / V Uo =UZ=UI - (IZ+IL)R 例:电路如图,所有稳压管均为硅管,且稳定电压VZ=8V,设vi=15sinωtV,试绘出vo1和vo2的波形。 解: 当15V≥vi≥8V时,vo1 = 8V + — + — 当-15V≤vi ≤-0.7V时,vo1 = -0.7V 当-0.7V vi 8V时,vo1 = vi + — + — 当15V≥vi≥8.7V时,vo2 = 8.7V 当-15V≤vi ≤-8.7V时,vo2 = -8.7V 当-8.7V vi 8.7V时,vo2 = vi 例:(1)试近似写出稳压管的耗散功率PZ的表达式,并说明输入VI和负载RL在何种情况下,PZ达到最大值或最小值;(2)写出负载吸收的功率表达式和限流电阻R消耗的功率表达式。 当VI最大,且RL开路时, + — + — 解:(1) 无最小值 (2)负载RL吸收的功率表达式: 限流电阻R消耗的功率表达式: 六、二极管的应用电路 1、整流电路 2、限幅电路 3、钳位电路 (a)电路图 (b) 输入电压波形 (c) 电容两端电压波形 (d)输出电压波形 将输人信号波形向下平移,将输出电压限制在零伏以下。 §1.3 晶体三极管 一、晶体三极管的结构及类型 二、三极管的三种连接方式 三、三极管的放大作用 四、三极管的特性曲线 五、三极管的主要参数 六、温度对三极管参数的影响 一、晶体管的结构及类型 多子浓度高 多子浓度很低,且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 1、晶体管的结构 思考:两个二极管背靠背组成一个三极管? 小功率管 中功率管 大功率管 频率: 高频管、低频管 功率: 材料: 小、中、大功率管 硅管、锗管 类型: NPN型、P
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